← 返回
高频软开关下宽禁带半导体技术的损耗对比研究
Comparison of Wide-Band-Gap Technologies for Soft-Switching Losses at High Frequencies
| 作者 | Armin Jafari · Mohammad Samizadeh Nikoo · Nirmana Perera · Halil Kerim Yildirim · Furkan Karakaya · Reza Soleimanzadeh · Elison Matioli |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 GaN器件 SiC器件 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 宽禁带半导体 软开关 功率密度 RDS(ON) 退化 输入电容 高频 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文探讨了基于宽禁带(WBG)器件的软开关变换器在提升效率与功率密度方面的优势。研究重点分析了在高频工作条件下,不同WBG技术(如SiC与GaN)在导通损耗、动态导通电阻(RDS(ON))退化以及输入电容充放电损耗等方面的差异,为高频电力电子系统的设计提供了理论依据。
English Abstract
Soft-switching power converters based on wide-band-gap (WBG) transistors offer superior efficiency and power density advantages. However, at high frequencies, loss behavior varies significantly between different WBG technologies. This includes losses related to conduction and dynamic on-state resistance (${R}_{\text{DS(ON)}}$) degradation, also charging/discharging of input capacitance (${C}_{\tex...
S
SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心产品线具有极高的参考价值。随着光伏逆变器(如组串式逆变器)和储能变流器(如PowerTitan系列)向更高功率密度和更高开关频率演进,SiC和GaN器件的应用已成为提升效率的关键。文章关于动态导通电阻退化及电容损耗的分析,直接指导了阳光电源在功率模块选型、驱动电路优化及散热设计上的技术路线。建议研发团队在下一代高频化储能PCS及户用光伏逆变器设计中,重点关注WBG器件在高频软开关下的热管理与可靠性,以进一步优化整机效率并缩小体积。