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基于局部屏蔽技术的氮化镓功率逆变桥EMI抑制
EMI Mitigation of GaN Power Inverter Leg by Local Shielding Techniques
| 作者 | Pawel B. Derkacz · Jean-Luc Schanen · Pierre-Olivier Jeannin · Piotr J. Chrzan · Piotr Musznicki · Mickael Petit |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 并网逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN功率晶体管 EMI抑制 共模电流 寄生电容 半桥逆变器 局部屏蔽 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种应用于半桥逆变桥的局部屏蔽技术，旨在降低转换器直流输入端的共模（CM）电流噪声。研究针对650V增强型氮化镓（GaN）功率晶体管开关展开，识别了逆变桥中点节点寄生电容的主要来源，并验证了屏蔽方案在抑制EMI方面的有效性。
English Abstract
This article presents local shielding techniques applied to a half-bridge inverter leg with the aim to reduce the common-mode (CM) current noise at converter’s dc input. The research study is conducted for 650-V enhancement mode Gallium Nitride power transistor switches. Main contributors of parasitic capacitances referred to the inverter-leg middle point node are identified. Then, shielding solut...
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SunView 深度解读
随着阳光电源组串式逆变器及户用储能系统向高功率密度、高开关频率演进，GaN器件的应用成为提升效率的关键。该研究提出的局部屏蔽技术能有效解决高频开关带来的EMI挑战，有助于优化逆变器PCB布局及滤波器设计，减小系统体积。建议在下一代高频户用逆变器及小型化储能PCS研发中引入此类电磁兼容设计方法，以满足严苛的电磁干扰标准，同时降低对被动元件的依赖，进一步提升产品竞争力。