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基于氮化镓的全桥变换器PCB寄生电容损耗研究
Research on Losses of PCB Parasitic Capacitance for GaN-Based Full Bridge Converters
| 作者 | Wuji Meng · Fanghua Zhang · Guangdong Dong · Jianping Wu · Lin Li |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN器件 PCB寄生电容 功率变换器 开关频率 功率密度 额外损耗 宽禁带半导体 |
语言:
中文摘要
宽禁带半导体器件的应用提升了功率变换器的开关频率与功率密度，但PCB寄生参数的影响随之凸显，导致性能下降及额外损耗。本文重点研究了PCB寄生电容引起的额外损耗，为高频功率电路设计提供了理论支撑。
English Abstract
The utilization of wide band-gap semiconductor devices provides the possibility of higher switching frequency and power density for power converters. However, the influence of parasitic parameters becomes more significant. It deteriorates the converter performance and leads to extra loss. In this article, the extra loss caused by the parasitic capacitance of printed circuit boards (PCBs) is studie...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的提升，GaN器件的应用日益广泛。PCB寄生参数在高频开关工况下对效率和EMI性能影响显著。本研究对于优化阳光电源新一代高频组串式逆变器及微型逆变器的PCB布局设计具有重要参考价值，有助于降低高频损耗，提升整机效率。建议研发团队在后续设计中引入该寄生参数建模方法，以应对高频化带来的热管理与电磁兼容挑战，进一步巩固公司在电力电子集成技术领域的领先地位。