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高频LLC谐振变换器中氮化镓器件的研究
Investigation of Gallium Nitride Devices in High-Frequency LLC Resonant Converters
| 作者 | Weimin Zhang · Fred Wang · Daniel J. Costinett · Leon M. Tolbert · Benjamin J. Blalock |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 LLC谐振 DC-DC变换器 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 氮化镓 GaN器件 LLC谐振变换器 高频 功率转换效率 开关速度 导通电阻 |
语言:
中文摘要
本文研究了氮化镓（GaN）器件在高频LLC谐振变换器中的应用优势。GaN器件凭借超快的开关速度和极低的导通电阻，能显著提升变换器效率。文中定量评估了GaN器件对变换器性能的优化潜力，并探讨了器件特性与变换器设计之间的关系。
English Abstract
Newly emerged gallium nitride (GaN) devices feature ultrafast switching speed and low on-state resistance that potentially provide significant improvements for power converters. This paper investigates the benefits of GaN devices in an LLC resonant converter and quantitatively evaluates GaN devices' capabilities to improve converter efficiency. First, the relationship of device and converter desig...
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SunView 深度解读
GaN作为第三代半导体技术，是阳光电源实现产品高功率密度和高效率的关键路径。在户用光伏逆变器及小型储能变流器（PCS）中，采用GaN器件替代传统硅基MOSFET，可显著减小磁性元件体积，提升整机功率密度，符合当前户用产品轻量化、小型化的趋势。建议研发团队重点关注GaN在高频LLC拓扑中的驱动电路设计与EMI抑制技术，以加速其在下一代高频化、高效率光储一体机中的商业化应用，从而进一步提升阳光电源在户用及工商业市场的核心竞争力。