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基于单片集成氮化镓蓝宝石二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器
1000 V, 10 MHz Voltage Multiplier Based on Monolithically Integrated GaN-on-Sapphire Diode Bridge IC
| 作者 | Zineng Yang · Xin Yang · Hehe Gong · Hongchang Cui · Hengbo Zhang · Ning Yan · Xipei Yu · Yuan Qin · Yibo Wang · Xiaosheng Wang · Chaoqiang Jiang · Han Wang · Dong Dong · Qiang Li · Yuhao Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 DC-DC变换器 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 氮化镓 蓝宝石基氮化镓 (GaN-on-sapphire) 单片集成 高频 倍压器 电力电子 千伏级应用 |
语言:
中文摘要
本文展示了一种基于单片集成氮化镓（GaN-on-Sapphire）二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器。研究填补了GaN器件在千伏级高频应用中的空白，验证了单片集成技术在实现高压、高频功率转换方面的潜力。
English Abstract
Gallium nitride (GaN) power devices are renowned for enabling high-frequency operation, but this merit has been largely demonstrated only in low-voltage realms. Recently, GaN-on-sapphire devices have emerged as promising candidates for kilovolt applications; however, their monolithic integration for high-frequency operation remains unexplored. Here, we bridge this gap by demonstrating a monolithic...
S
SunView 深度解读
该研究展示了GaN器件在千伏级高压与超高频应用中的突破，对阳光电源的未来产品研发具有重要参考价值。在组串式逆变器和户用储能PCS领域，随着功率密度的不断提升，传统硅基器件已接近性能瓶颈，引入GaN-on-Sapphire等宽禁带半导体技术有助于进一步缩小磁性元件体积，提升整机效率。建议研发团队关注该单片集成技术在辅助电源及高频DC-DC变换级中的应用潜力，以保持在轻量化、高功率密度逆变器技术上的领先优势。