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使用集成栅极驱动器的单片GaN半桥功率级的甚高频PWM降压转换器
Very High Frequency PWM Buck Converters Using Monolithic GaN Half-Bridge Power Stages With Integrated Gate Drivers
| 作者 | Yuanzhe Zhang · Miguel Rodriguez · Dragan Maksimovic |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2016年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 DC-DC变换器 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN 半桥 栅极驱动器 甚高频(VHF) PWM DC-DC变换器 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文探讨了针对100 MHz开关频率优化的单片GaN半桥功率级设计与实现。通过集成栅极驱动器，有效克服了寄生参数影响，提升了甚高频（VHF）开关电源的转换效率，为高功率密度电力电子变换提供了关键技术路径。
English Abstract
Integration is a key step in utilizing advances in GaN technologies and enabling efficient switched-mode power conversion at very high frequencies (VHF). This paper addresses design and implementation of monolithic GaN half-bridge power stages with integrated gate drivers optimized for pulsewidth-modulated (PWM) dc–dc converters operating at 100 MHz switching frequency. Three gate-driver circuit t...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的电力电子产品演进具有重要参考价值。随着光伏逆变器和储能PCS向高功率密度、小型化发展，甚高频（VHF）变换技术是实现磁性元件小型化的关键。单片集成GaN技术可显著降低寄生电感，提升开关频率，直接利好阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线，有助于减小体积并提升效率。建议研发团队关注单片GaN工艺在辅助电源及小功率DC-DC模块中的应用，以应对未来极致高功率密度的市场需求。