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第三代10kV SiC MOSFET的温度相关特性、建模及开关速度限制分析
Temperature-Dependent Characterization, Modeling, and Switching Speed-Limitation Analysis of Third-Generation 10-kV SiC MOSFET
| 作者 | Shiqi Ji · Sheng Zheng · Fei Wang · Leon M. Tolbert |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 10-kV 温度相关特性 开关性能 寄生电容 双脉冲测试 |
语言:
中文摘要
本文研究了第三代10kV/20A SiC MOSFET在不同温度下的静态特性（饱和电流、输出特性、反并联二极管、寄生电容）及开关性能。通过构建双脉冲测试平台，分析了器件的开关速度限制，为高压功率变换器的设计与优化提供了理论依据。
English Abstract
The temperature-dependent characteristics of the third-generation 10-kV/20-A SiC MOSFET including the static characteristics and switching performance are carried out in this paper. The steady-state characteristics, including saturation current, output characteristics, antiparallel diode, and parasitic capacitance, are tested. A double pulse test platform is constructed including a circuit breaker...
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SunView 深度解读
10kV SiC MOSFET代表了高压功率器件的前沿技术，对阳光电源的未来业务具有重要战略意义。在集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan）中，采用更高电压等级的器件可显著降低系统电流，减少损耗并提升功率密度。该研究中关于温度特性和开关速度限制的分析，对于优化阳光电源高压PCS模块的驱动电路设计、散热管理及电磁兼容性（EMC）设计具有直接指导价值。建议研发团队关注该类超高压宽禁带器件在兆瓦级储能变流器中的应用潜力，以进一步提升系统效率。