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基于Si IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT的单相T型逆变器性能基准测试
Single-Phase T-Type Inverter Performance Benchmark Using Si IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs
| 作者 | Emre Gurpinar · Alberto Castellazzi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2015年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 IGBT SiC器件 三电平 单相逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | Si IGBT SiC MOSFET GaN HEMT T型逆变器 开关性能 电力电子 效率 栅极驱动器 |
语言:
中文摘要
本文对600V等级的Si IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT功率开关在单相T型逆变器中的性能进行了基准测试。评估了各技术的驱动要求、开关性能、逆变器效率、散热器体积、输出滤波器体积及死区效应。研究表明，GaN器件在驱动损耗方面表现最优。
English Abstract
In this paper, benchmark of Si IGBT, SiC MOSFET, and Gallium nitride (GaN) HEMT power switches at 600-V class is conducted in single-phase T-type inverter. Gate driver requirements, switching performance, inverter efficiency performance, heat sink volume, output filter volume, and dead-time effect for each technology is evaluated. Gate driver study shows that GaN has the lowest gate driver losses ...
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SunView 深度解读
该研究直接关联阳光电源的核心业务——光伏逆变器及储能变流器（PCS）的功率密度提升。T型三电平拓扑是阳光电源组串式逆变器和储能PCS的主流技术路线。通过对比Si、SiC和GaN在600V等级下的性能，为公司下一代高功率密度产品（如户用光伏及小型工商业储能）的选型提供了关键参考。建议研发团队重点关注GaN在减小滤波器体积和提升整机效率方面的潜力，并结合公司iSolarCloud平台的数据反馈，评估宽禁带半导体在不同环境温度下的长期可靠性，以优化散热设计并降低系统成本。