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基于AlGaN/GaN HEMT的非经典光电逻辑反相器的实现
Demonstration of AlGaN/GaN HEMT-based non-classical optoelectronic logic inverter
| 作者 | Ramit Kumar Mondal · Fuad Indra Alzakia · Ravikiran Lingaparthi · Nethaji Dharmarasu |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 126 卷 第 17 期 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 GaN器件 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | AlGaN/GaN HEMT 非经典光电子逻辑逆变器 应用物理快报 演示 2025年 |
语言:
中文摘要
本文报道了一种基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的非经典光电逻辑反相器的实验实现。该器件利用光照调控沟道电导，结合HEMT的优异开关特性，实现了光控逻辑反相功能。在无光照时器件处于导通状态，施加特定波长光照后触发载流子分离，导致沟道电流下降并完成逻辑电平翻转。实验结果表明，该反相器具有清晰的输入-输出逻辑关系、良好的响应速度及稳定性。此工作为发展新型集成化、低功耗光逻辑电路提供了可行路径。
English Abstract
Ramit Kumar Mondal, Fuad Indra Alzakia, Ravikiran Lingaparthi, Nethaji Dharmarasu, K. Radhakrishnan, Munho Kim; Demonstration of AlGaN/GaN HEMT-based non-classical optoelectronic logic inverter. _Appl. Phys. Lett._ 28 April 2025; 126 (17): 172101.
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SunView 深度解读
该AlGaN/GaN HEMT光电逻辑反相器技术对阳光电源功率器件创新具有重要启发意义。首先，这种光控开关特性可应用于SG系列逆变器的智能保护电路，提升系统安全性能。其次，光电耦合的非接触控制方式有助于优化ST储能系统的电气隔离设计，提高系统可靠性。此外，该技术为开发新型GaN功率模块提供了创新思路，可用于提升车载OBC等产品的功率密度。建议在功率器件研发中关注此类新型控制方案，探索光电集成的GaN器件应用。