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具有增强EMI屏蔽功能的1200 V/650 V/160 A SiC+Si IGBT三电平混合T型NPC功率模块
1200 V/650 V/160 A SiC+Si IGBT 3L Hybrid T-Type NPC Power Module With Enhanced EMI Shielding
| 作者 | Asif Imran Emon · Zhao Yuan · Abdul Basit Mirza · Amol Deshpande · Mustafeez Ul Hassan · Fang Luo |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 IGBT 功率模块 三电平 多电平 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 三电平逆变器 SiC Si IGBT 混合功率模块 T型中点钳位(T-Type NPC) 寄生电感 EMI屏蔽 |
语言:
中文摘要
三电平逆变器因电流换流回路（CCL）中串联开关数量增加，导致寄生电感增大，开关瞬态电压应力和振荡严重。本文提出一种混合T型NPC功率模块，结合SiC与Si IGBT优势，并通过增强EMI屏蔽设计，有效改善了高频开关下的电磁干扰与电压应力问题。
English Abstract
Three-level (3L) inverters suffer from higher parasitic inductance due to the increased number of series-connected switches in a single current commutation loop (CCL) results in a larger size of CCL compared to their two-level (2L) counterparts. As such, semiconductors are subjected to higher voltage stress and severe ringing at the switching transient. While silicon carbide's (SiC) faster switchi...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）具有重要参考价值。随着阳光电源产品向更高功率密度和更高开关频率演进，T型三电平拓扑在降低损耗方面优势明显。SiC与Si的混合封装方案能在保证成本竞争力的同时，利用SiC提升效率，利用Si IGBT降低成本。建议研发团队关注该模块的EMI屏蔽设计，以优化阳光电源产品在复杂电磁环境下的电磁兼容性，并进一步提升高压大功率模块的集成度与可靠性。