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中压碳化硅技术赋能的高功率电子应用综述
High-Power Electronic Applications Enabled by Medium Voltage Silicon-Carbide Technology: An Overview
| 作者 | Morten Rahr Nielsen · Shiyue Deng · Abdul Basit Mirza · Benjamin Futtrup Kjærsgaard · Asger Bjørn Jørgensen · Hongbo Zhao · Yang Li · Stig Munk-Nielsen · Fang Luo |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 多电平 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 大功率电子变换器 中压 碳化硅 SiC半导体器件 电力电子 静态性能 动态性能 |
语言:
中文摘要
随着社会电气化与绿色转型,高效大功率电子变换器的需求日益增长。中压碳化硅(SiC)半导体器件凭借优于硅基器件的静态与动态性能,成为关键推动力。本文全面综述了中压SiC技术在电力电子领域的应用潜力与技术挑战。
English Abstract
With the electrification of society and the green transition, the need for efficient high-power electronic converters to support the electricity demand is at an all-time high. A key enabler is the emerging medium voltage (MV) silicon-carbide (SiC) semiconductor devices, which offer improved static and dynamic performance compared to their silicon-counterparts. This article presents a thorough over...
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SunView 深度解读
中压SiC技术是阳光电源提升产品功率密度与转换效率的核心驱动力。在集中式光伏逆变器及PowerTitan系列大容量储能变流器中,应用中压SiC器件可显著降低开关损耗,减小磁性元件体积,从而实现整机轻量化与高效率。建议研发团队重点关注中压SiC模块的封装散热技术及高频驱动电路设计,以应对未来更高电压等级(如1500V/2000V系统)的并网需求,进一步巩固公司在大型地面电站及电网侧储能领域的竞争优势。