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碳化硅半导体器件在高压直流输电电压源换流器中的对比评估
Comparative Evaluation of Voltage Source Converters With Silicon Carbide Semiconductor Devices for High-Voltage Direct Current Transmission
| 作者 | Keijo Jacobs · Stefanie Heinig · Daniel Johannesson · Staffan Norrga · Hans-Peter Nee |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 多电平 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 碳化硅 SiC 高压直流输电 电压源变换器 功率半导体 模块化多电平变换器 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文探讨了碳化硅（SiC）功率半导体技术在高压直流（HVDC）输电领域的应用前景。相比传统的硅（Si）基器件，SiC器件结合新型模块化多电平换流器（MMC）拓扑，能显著提升高功率转换系统的效率与功率密度，是未来电力电子技术升级的重要方向。
English Abstract
Recent advancements in silicon carbide (SiC) power semiconductor technology enable developments in the high-power sector, e.g., high-voltage-direct-current (HVdc) converters for transmission, where today silicon (Si) devices are state-of-the-art. New submodule (SM) topologies for modular multilevel converters offer benefits in combination with these new SiC semiconductors. This article reviews dev...
S
SunView 深度解读
该研究对于阳光电源的高压储能系统（如PowerTitan系列）及未来大功率电力电子设备具有重要参考价值。SiC器件在高压、高频场景下的低损耗特性，能够显著提升PCS的转换效率，减小散热系统体积，从而提升系统功率密度。建议研发团队关注SiC在高压模块化多电平拓扑中的应用，这不仅有助于优化大型储能电站的系统成本，也为阳光电源在超高压并网技术及大型风电变流器领域的差异化竞争提供技术储备。