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串联SiC MOSFET有源钳位拓扑分析及灵活DV/DT控制
Analysis and Flexible DV/DT Control of an Active Clamping Topology for Series-Connected SiC MOSFETs
| 作者 | Fan Zhang · Yuze Zheng · Xuan Zhang · Xu Yang · Wenjie Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 多电平 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFETs 串联连接 有源钳位 dv/dt控制 电压均衡 电力电子 中压变换器 |
语言:
中文摘要
本文针对串联SiC MOSFET在构建中压变换器时面临的电压不均及高dv/dt问题,提出了一种有源钳位拓扑及相应的dv/dt控制方法,旨在实现高效率与高可靠性的功率转换。
English Abstract
Series-connection of SiC mosfets is an attractive solution to build cost effective and high efficiency medium voltage converters, however, the unequal voltage sharing among the power devices and the induced high dv/dt problems should be considered carefully. In this article, an active clamping topology and corresponding dv/dt control method for series-connected SiC mosfets are proposed. With the p...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的中压光伏逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要价值。随着系统电压等级向1500V甚至更高演进,SiC器件的串联应用是提升功率密度和效率的关键路径。该有源钳位技术能有效解决串联器件的电压应力不均及EMI问题,有助于优化逆变器及PCS的功率模块设计,提升系统在高压工况下的可靠性。建议研发团队关注该拓扑在模块化多电平变换器中的应用,以进一步降低系统损耗并减小无源元件体积。