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一种低损耗且电压自平衡的准两电平中压SiC MOSFET功率模块
A Quasi-Two-Level Medium-Voltage SiC MOSFET Power Module With Low Loss and Voltage Self-Balance
| 作者 | Jiye Liu · Chi Li · Zedong Zheng · Kui Wang · Yongdong Li |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 多电平 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 功率模块 电压自平衡 准两电平 高压 快速开关 功率密度 |
语言:
中文摘要
针对高压、高功率密度变换器对宽禁带器件的需求，本文提出了一种通过堆叠低压SiC MOSFET实现等效高压阻断能力的功率模块。该设计利用准两电平拓扑结构，在保持低导通电阻和高电流容量的同时，有效解决了串联器件的电压自平衡问题，相比单颗高压器件具有成本与性能优势。
English Abstract
High-voltage and fast-switching silicon carbide (SiC) power modules are needed to construct high-voltage and high power-density converters. Stacking multiple low-voltage SiC devices to increase the equivalent blocking voltage shows advantages in on-state resistance, current capacity, and cost over one single high-voltage device. An indirect series-connected SiC MOSFET power module using quasi-two-...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器（PCS）具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高直流侧电压（如1500V及以上）演进，利用SiC器件堆叠技术可显著降低开关损耗并提升功率密度。建议研发团队关注该模块的电压自平衡机制，将其应用于高压PCS拓扑设计中，以替代昂贵的高压SiC器件，从而在提升系统效率的同时优化成本竞争力，进一步巩固阳光电源在高性能电力电子变换器领域的领先地位。