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硅IGBT+碳化硅MOSFET混合开关的实用设计考量：寄生互连影响、成本及电流比优化
Practical Design Considerations for a Si IGBT + SiC MOSFET Hybrid Switch: Parasitic Interconnect Influences, Cost, and Current Ratio Optimization
| 作者 | Amol Deshpande · Fang Luo |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 混合开关 Si IGBT SiC MOSFET 寄生互连 功率变换器 电流比优化 开关损耗 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种用于大电流高功率变换器的混合开关（HyS），由大电流Si IGBT与小电流SiC MOSFET并联组成。文章系统分析了寄生参数对开关性能的影响，并推导了SiC/Si电流比的优化边界，旨在平衡成本与效率。
English Abstract
In this paper, a hybrid switch (HyS) consisting of a large current rated Si insulated-gate bipolar transistor (IGBT) device connected in parallel with a small current rated SiC MOSFET device (low SiC/Si current ratio below unity) is proposed for high-current high-power converters. A systematic analysis involving a parametric sweep to understand the influence and to derive a boundary line of the pa...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的集中式光伏逆变器和PowerTitan系列大功率储能变流器（PCS）具有极高的应用价值。在追求高功率密度的同时，全SiC方案成本压力较大，而混合开关方案能在保证高效率（利用SiC的开关特性）和低成本（利用Si IGBT的通态特性）之间取得平衡。建议研发团队重点关注寄生电感对混合开关并联均流的影响，通过优化模块封装布局，提升大功率变换器的整体效率，从而在大型地面电站和电网侧储能项目中获得更强的成本竞争力。