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三端Si/SiC混合开关
Three-Terminal Si/SiC Hybrid Switch
| 作者 | Xiaoqing Song · Liqi Zhang · Alex Q. Huang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | Si/SiC混合开关 Si IGBT SiC MOSFET 功率半导体 开关速度 导通能力 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种Si/SiC混合开关，通过并联Si IGBT与SiC器件（MOSFET或JFET）实现。该技术结合了Si IGBT的高导通能力与SiC器件的高速开关特性，有效提升了功率变换器的效率与性能，是功率半导体领域的重要创新。
English Abstract
A Si/SiC hybrid switch is an innovative power semiconductor switch realized by paralleling a Si insulated-gate bipolar transistor (IGBT) and a SiC device (metal-oxide semiconductor field-effect transistor (mosfet) or junction field-effect transistor). The Si/SiC hybrid switch combines advantages of Si IGBT's high conduction capability and SiC device's fast switching speed, and effectively addresse...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有重大价值。在组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能变流器（PCS）中，通过Si/SiC混合开关技术，可以在不显著增加成本的前提下，显著降低开关损耗并提升功率密度。建议研发团队在下一代高效率逆变器拓扑中评估该方案，特别是在大功率工商业及地面电站场景下，利用该技术优化散热设计，进一步提升整机效率，从而增强产品在市场中的竞争力。