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面向SiC MOSFET的具有定位功能的高精度宽温区变换器级导通电压测量技术
High Accuracy and Wide Temperature Range Converter-level On-State Voltage Measurement With Localization Function for SiC MOSFETs
| 作者 | Qunfang Wu · Shilin Shen · Han Zhang · Qin Wang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 通态电压 状态监测 可靠性 预测性维护 变换器级测量 宽温度范围 |
语言:
中文摘要
状态监测技术通过实时监测器件退化过程实现预测性维护，从而提升系统可靠性。导通电压是目前SiC MOSFET最实用的健康监测指标，但其在线提取技术仍面临挑战。本文提出了一种具有定位功能的变换器级导通电压测量方案，解决了宽温度范围下的高精度测量难题。
English Abstract
Condition monitoring technology can significantly improve system reliability by monitoring the device degradation process in real-time and implementing predictive maintenance. on-state voltage is the most practical health monitoring indicator for SiC mosfets so far, and their online extraction technology is a challenge for current research. Existing converter-level on-state voltage measurement cir...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着SiC MOSFET在组串式光伏逆变器（如SG系列）及大功率储能变流器（如PowerTitan系列）中的广泛应用，器件的可靠性监测成为提升产品全生命周期价值的关键。该研究提出的在线导通电压测量与定位功能，可直接集成于iSolarCloud智能运维平台，实现对功率模块退化状态的精准感知，从而从“事后维修”转向“预测性维护”，显著降低运维成本并提升系统可用性，特别适用于高温、高功率密度的工业级储能与光伏应用场景。