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一种适用于宽输出电容范围和Au80Sn20合金焊料封装的高压低 dropout 稳压器
A High-Voltage Low-Dropout Regulator With Wide Ranges of Output Capacitance and Au80Sn20 Alloy Solder for Packaging
Hua Fan · Xiaopeng Diao · Qi Wei · Quanyuan Feng · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年2月
本文提出了一种可在-55°C至125°C宽温范围内稳定工作的高压低dropout（LDO）稳压器电路设计与实现。该LDO支持1至100 μF输出电容及数十毫欧至数欧等效串联电阻（ESR）的宽范围变化，静态电流不超过200 μA。通过采用p型横向扩散MOS（LDMOS）功率管替代传统p-n-p双极型晶体管，显著降低静态电流。结合特殊反馈路径的运算放大器、AB类双极驱动器与动态偏置技术，有效改善了因LDMOS栅极电容大导致的瞬态响应退化。测试结果表明，在负载电流3 μs内从5 mA阶跃至750 mA...
解读: 该高压宽温LDO技术对阳光电源多条产品线具有重要应用价值。在ST储能变流器和SG光伏逆变器中，其-55°C至125°C宽温特性和低静态电流（<200μA）可显著提升控制板卡在极端环境下的可靠性并降低待机损耗。LDMOS功率管设计和动态偏置技术可应用于车载OBC和充电桩的辅助电源模块，750mA快速负...
基于碳化硅上镧钴氧化物的宽带宽高功率射频限幅器
Wide Bandwidth, High Power Radio Frequency Limiter Based on Lanthanum Cobalt Oxide on SiC
Rajashree Bhattacharya · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年12月
绝缘体 - 金属相变氧化物为突破当前射频限幅器技术的限制提供了契机。在本文中，我们展示了基于溅射在碳化硅衬底上的钴酸镧（LaCoO₃，LCO）的并联功率限幅器。本文所介绍的 LCO 限幅器在基于绝缘体 - 金属相变（IMT）材料的射频开关中，实现了有报道以来最宽温度范围（从 10°C 到 225°C）内的限幅性能。在 2 GHz 频率下，该功率限幅器在高达 75°C 的温度下插入损耗小于 1 dB，可承受高达 40 dBm 的功率，泄漏功率为 20 dBm。我们在 0.1 至 50 GHz 范围...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于钴酸镧（LaCoO3）材料的射频限幅器技术具有重要的潜在应用价值。在光伏逆变器和储能系统中，功率变换设备面临日益严峻的电磁兼容性挑战，特别是在高功率密度设计和复杂电磁环境下，射频干扰抑制成为关键技术瓶颈。 该技术的核心优势在于其宽温度工作范围（10-225°C）和...
具有定位功能的SiC MOSFET宽温度范围高精度导通电压测量方法
High Accuracy and Wide Temperature Range Converter-level On-State Voltage Measurement With Localization Function for SiC MOSFETs
作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
状态监测技术可通过实时监测设备的退化过程并实施预测性维护，显著提高系统可靠性。截至目前，导通状态电压是碳化硅（SiC）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）最实用的健康监测指标，而其在线提取技术是当前研究面临的一项挑战。现有的变流器级导通状态电压测量电路无法在较宽的温度范围内很好地保持低误差，且无法单独测量每个半导体的导通状态电压。为解决这些局限性，本文提出了一种具有定位功能的宽温度范围、高精度变流器级碳化硅 MOSFET 导通状态电压测量方法。首先，阐述了该方法在单相逆变器中...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项针对SiC MOSFET的导通压降在线监测技术具有重要的战略价值。作为核心功率器件，SiC MOSFET在我们的光伏逆变器和储能变流器中大量应用，其健康状态直接影响系统可靠性和运维成本。 该技术的核心创新在于实现了宽温域（25-100°C）下的高精度测量（误差≈0.0...