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一种SiC MOSFET栅氧化层退化与结温解耦的在线状态监测方法
An Online Condition Monitoring Method for Gate-Oxide Degradation and Junction Temperature Decoupling of SiC MOSFETs
| 作者 | Jinbo Li · Shilin Shen · Qunfang Wu · Shiyu Qiu · Qin Wang · Wei Su · Pengfei Yu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 栅氧化层退化 结温 状态监测 健康状态 解耦 电力电子 |
语言:
中文摘要
该文提出了一种实时监测SiC MOSFET结温与栅氧化层退化的方法。现有监测技术常受结温波动影响导致栅氧化层退化指标漂移，从而产生监测误差。本文旨在通过解耦手段实现SiC MOSFET健康状态的精准在线评估。
English Abstract
By monitoring the indicators of junction temperature and gate-oxide degradation in real-time, it is possible to achieve online evaluation of the health status of SiC mosfets. Existing methods commonly employ electrical parameters for condition monitoring. However, when Tj fluctuates, the indicators of gate-oxide degradation tend to drift, thereby increasing monitoring errors. Moreover, Tj estimati...
S
SunView 深度解读
随着阳光电源在光伏逆变器（如组串式、集中式）及储能系统（如PowerTitan、PowerStack）中大规模应用SiC功率器件以提升功率密度和效率，器件的可靠性成为核心竞争力。该研究提出的结温与栅氧化层退化解耦监测技术，能够有效解决SiC器件在复杂工况下的老化评估难题，有助于提升iSolarCloud智能运维平台对功率模块的预测性维护能力，减少非计划停机，延长产品全生命周期寿命，对下一代高可靠性电力电子产品的研发具有重要参考价值。