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一种基于非接触式PCB罗氏线圈的SiC MOSFET栅极氧化层退化在线监测方法
An Online Gate Oxide Degradation Monitoring Method for SiC MOSFETs With Contactless PCB Rogowski Coil Approach
| 作者 | Jianlong Kang · Ankang Zhu · Yu Chen · Haoze Luo · Lei Yao · Zhen Xin |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 可靠性分析 故障诊断 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 栅极氧化层退化 在线监测 非接触式 罗氏线圈 可靠性 电力电子 瞬态电流 |
语言:
中文摘要
SiC MOSFET栅极氧化层的实时退化监测是提升功率变换器可靠性的关键。现有监测方法多需直接电气连接，降低了系统可靠性。本文提出一种基于开通瞬态电流变化率的非接触式监测方法，通过PCB罗氏线圈实现，有效避免了对主电路的干扰，提升了监测的安全性与准确性。
English Abstract
Real-time degradation monitoring (DM) of the gate oxide is an effective method to improve the reliability of SiC mosfet applications. Currently, the existing DM methods generally require direct electrical connection with the device, which undoubtedly reduces the reliability of monitored system. This article proposes a contactless DM method based on the turn-on transient current rate with fixed del...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率模块，器件的长期可靠性成为核心竞争力。该非接触式监测技术无需改变主电路拓扑，即可实现对SiC器件栅极健康状态的实时评估，极大地降低了系统故障风险。建议研发团队将其集成至iSolarCloud智能运维平台，通过大数据分析实现SiC器件的寿命预测与预警，从而优化运维策略，降低全生命周期运维成本，进一步提升阳光电源产品在极端工况下的可靠性表现。