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基于结电容的SiC MOSFET栅氧化层退化温度无关监测方法
Temperature-Independent Gate-Oxide Degradation Monitoring of SiC MOSFETs Based on Junction Capacitances
| 作者 | Masoud Farhadi · Fei Yang · Shi Pu · Bhanu Teja Vankayalapati · Bilal Akin |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 栅氧化层退化 可靠性监测 结电容 温度无关 功率变换器 状态监测 |
语言:
中文摘要
栅氧化层退化是SiC MOSFET的主要可靠性挑战。现有监测方法多受温度影响，难以消除误差。本文提出了一种基于结电容的监测方法，实现了对栅氧化层退化的温度无关监测，有助于预防功率变换器的突发故障。
English Abstract
Gate-oxide degradation has been one of the major reliability challenges of SiC MOSFETs and should be monitored carefully to avoid unexpected power converter failures. Various precursors have been introduced in the literature for gate-oxide degradation monitoring. However, those proposed precursors are temperature dependent and it is highly challenging to eliminate temperature effects. In this arti...
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SunView 深度解读
SiC MOSFET作为阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能变流器及高频充电桩的核心功率器件，其可靠性直接决定了产品的全生命周期运维成本。该研究提出的温度无关监测技术，能够有效解决复杂工况下器件老化评估不准的痛点。建议将此技术集成至iSolarCloud智能运维平台，通过实时监测关键结电容参数，实现对SiC功率模块的早期故障预警，从而提升光伏及储能系统的可用性，降低运维难度。