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SiC功率MOSFET栅极漏电流监测：一种智能栅极驱动器的估算方法
Monitoring of Gate Leakage Current on SiC Power MOSFETs: An Estimation Method for Smart Gate Drivers
| 作者 | Julien Weckbrodt · Nicolas Ginot · Christophe Batard · Stephane Azzopardi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 碳化硅 SiC MOSFET 栅极漏电流 智能栅极驱动器 电力电子 可靠性 状态监测 |
语言:
中文摘要
碳化硅（SiC）功率器件因其高频、高温特性被广泛应用于电能转换系统。本文针对SiC MOSFET的栅极漏电流监测问题，提出了一种适用于智能栅极驱动器的估算方法，旨在提升SiC器件在电力电子系统中的运行可靠性与状态监测能力。
English Abstract
Silicon Carbide (SiC) power transistors are more and more used in electric energy conversion systems. SiC power semiconductors devices, such as SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) can operate at higher frequency and higher temperature compared to Silicon power mosfet or insulated-gate bipolar transistor. However, the maturity of the SiC technology is moderate compared to...
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SunView 深度解读
该研究直接契合阳光电源在光伏逆变器和储能PCS中对SiC器件的应用趋势。随着PowerTitan系列储能系统及组串式逆变器向更高功率密度和高频化演进，SiC MOSFET的长期可靠性至关重要。该栅极漏电流监测方法可集成至阳光电源的智能栅极驱动电路中，实现对功率模块早期失效的预警，从而提升iSolarCloud智能运维平台在故障诊断方面的深度，降低运维成本，并为下一代高可靠性电力电子变换器的设计提供技术支撑。