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采用SiC MOSFET和SiC肖特基二极管的分裂输出变换器性能评估
Performance Evaluation of Split Output Converters With SiC MOSFETs and SiC Schottky Diodes
| 作者 | Qingzeng Yan · Xibo Yuan · Yiwen Geng · Apollo Charalambous · Xiaojie Wu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 拓扑与电路 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET SiC肖特基二极管 功率密度 系统效率 串扰 EMI 开关损耗 |
语言:
中文摘要
本文探讨了碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管在功率变换器中的应用。虽然SiC器件能显著提升功率密度和系统效率，但其超快开关特性引发了桥臂直通（串扰）、高开通损耗及电磁干扰（EMI）等挑战。文章针对分裂输出变换器进行了深入的性能评估与分析。
English Abstract
The adoption of silicon carbide (SiC) MOSFETs and SiC Schottky diodes in power converters promises a further improvement of the attainable power density and system efficiency, while it is restricted by several issues caused by the ultrafast switching, such as phase-leg shoot-through (“crosstalk” effect), high turn-on losses, electromagnetic interference (EMI), etc. This paper presents a split outp...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心产品线具有重要指导意义。随着组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能PCS向更高功率密度和效率演进，SiC器件的应用已成为主流。针对文中提到的串扰和EMI问题，建议在研发中优化驱动电路设计及PCB布局，以充分发挥SiC的性能优势。该技术可直接应用于新一代高频化、小型化逆变器及储能变流器的开发，助力提升产品在复杂电网环境下的电磁兼容性与可靠性。