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一种适用于串联SiC MOSFET的栅极驱动电路及动态电压均衡控制方法
A Gate Drive Circuit and Dynamic Voltage Balancing Control Method Suitable for Series-Connected SiC mosfets
| 作者 | Chengzi Yang · Yunqing Pei · Yunfei Xu · Fan Zhang · Laili Wang · Mengyu Zhu · Longyang Yu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 拓扑与电路 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 门极驱动电路 动态电压均衡 串联连接 开关性能 电压不平衡 |
语言:
中文摘要
相比硅基IGBT，碳化硅(SiC) MOSFET在开关速度和热性能上具有显著优势。然而，SiC MOSFET极快的开关速度加剧了由参数不一致引起的动态电压不平衡问题。本文提出了一种新型栅极驱动电路及动态电压均衡控制方法，有效解决了串联SiC MOSFET应用中的电压应力分配难题。
English Abstract
Compared with silicon insulated-gate bipolar transistor, silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) presents good features that it clearly shows on its switching and thermal performance. However, the fast switching speed of SiC mosfet makes it much more difficult for solving the dynamic voltage imbalance problem caused by the parameter fluctuations of the SiC ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的高压储能系统（如PowerTitan系列）及大功率组串式逆变器具有重要价值。随着光伏与储能系统向更高直流母线电压（如1500V甚至更高）演进，单管SiC器件耐压受限，串联技术是提升功率密度和效率的关键。该研究提出的动态电压均衡控制方法，可直接应用于阳光电源的高压功率模块设计，提升系统在高速开关下的可靠性与电磁兼容性（EMC），有助于进一步降低系统损耗，优化散热设计，从而提升产品在极端工况下的性能表现。