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考虑开关轨迹包络的SiC MOSFET非线性电容模型
Nonlinear Capacitance Model of SiC MOSFET Considering Envelope of Switching Trajectory
| 作者 | Ning Wang · Jianzhong Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 拓扑与电路 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 非线性电容模型 开关轨迹 动态特性 电力电子 建模方法 |
语言:
中文摘要
本文针对SiC MOSFET提出了一种基于开关轨迹包络的非线性电容建模方法。该方法区别于传统全数据提取法，显著降低了模型复杂度，并有效避免了仿真过程中的发散问题，为高频电力电子变换器的动态特性预测提供了更高效的建模手段。
English Abstract
The nonlinear capacitance model is important to predict the dynamic characteristics of SiC mosfets. Different from the conventional modeling method extracting the parameters from the full data, this article proposes a modeling method based on the envelope of the switching trajectory, which greatly reduces the complexity of the model and avoids divergence during the simulation. The proposed modelin...
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SunView 深度解读
SiC器件是阳光电源新一代组串式逆变器、PowerTitan储能变流器及高功率密度充电桩的核心组件。该建模方法通过简化非线性电容模型，能显著提升仿真精度与收敛速度，有助于研发团队在设计阶段更精准地评估开关损耗与电磁干扰（EMI）。建议在研发高频化、高功率密度产品时引入该模型，以优化驱动电路设计，提升系统整体能效，并缩短产品开发周期。