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半桥配置下SiC MOSFET关断软开关动态特性分析模型
Analytical Model to Study Turn-OFF Soft Switching Dynamics of SiC MOSFET in a Half-Bridge Configuration
| 作者 | Shamibrota Kishore Roy · Kaushik Basu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 拓扑与电路 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 软开关 开关瞬态 半桥结构 漏源电容 开关损耗 EMI 器件应力 |
语言:
中文摘要
SiC MOSFET具有极快的开关瞬态，虽能降低开关损耗，但易引发振荡、误导通及EMI问题。本文针对软开关变换器，研究了利用外部漏源电容抑制上述负面效应的分析模型，旨在优化SiC器件在高速开关下的动态性能与可靠性。
English Abstract
Switching transients of SiC MOSFET are fast compared to its Si counterpart. Fast switching transient reduces switching loss but may induce prolonged oscillations, spurious turn-on, high device stress, and electromagnetic interference (EMI)-related issues, etc. In soft switched converters, use of external drain source capacitance can reduce these adverse effects along with the reduction in switchin...
S
SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心产品线具有重要指导意义。随着公司组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度、高效率方向演进，SiC器件的应用已成为主流。该分析模型有助于研发团队精确评估SiC MOSFET在软开关（如LLC或移相全桥）下的关断动态，从而优化驱动电路设计，有效抑制高频振荡与EMI，提升系统在极端工况下的可靠性。建议在下一代高频化逆变器及PCS产品开发中，利用该模型指导外部电容参数匹配，在保证开关速度的同时，进一步降低器件应力，提升产品长期运行的稳定性。