← 返回
基于表面势的碳化硅功率MOSFET电路仿真模型
Surface-Potential-Based Silicon Carbide Power MOSFET Model for Circuit Simulation
| 作者 | Michihiro Shintani · Yohei Nakamura · Kazuki Oishi · Masayuki Hiromoto · Takashi Hikihara · Takashi Sato |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 拓扑与电路 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 碳化硅 SiC MOSFET 表面势模型 电路仿真 电力电子 器件建模 |
语言:
中文摘要
随着电力电子变换器工作频率的提升，对功率器件模型的物理特性准确性提出了更高要求。本文提出了一种基于表面势的碳化硅（SiC）功率MOSFET综合模型，旨在实现更精确的电路仿真，克服了传统模型在描述物理行为方面的局限性。
English Abstract
Transistor models have been playing a key role in designing efficient power converters. As the operating frequency of the converters becomes higher, transistor models need to represent physical device behavior accurately. This paper proposes a comprehensive surface-potential-based model of silicon carbide (SiC) power MOSFETs that realizes accurate circuit simulations. Whereas conventional simulati...
S
SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的核心功率器件选型与驱动优化。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC器件以提升功率密度和转换效率，高精度的器件模型对于缩短研发周期、优化开关损耗及电磁兼容（EMC）设计至关重要。建议研发团队将此表面势模型集成至iSolarCloud配套的仿真工具链中，以更精准地预测高温及高频工况下的器件行为，从而提升逆变器与PCS产品的可靠性与热管理水平。