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SiC MOSFET导通电压测量电路中的集成短路保护方法
Integrated Short-Circuit Protection Method in On-State Voltage Measurement Circuit for SiC MOSFETs
| 作者 | Jiahong Liu · Xing Wei · Bo Yao · Yichi Zhang · Yingzhou Peng · Huai Wang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 预计 2026年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 故障诊断 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 短路保护 状态监测 通态电压测量 电力电子 可靠性 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种SiC MOSFET状态监测与短路保护的集成方案。通过改进导通电压测量电路，将状态监测与短路保护功能整合在单一电路中，有效提升了系统的紧凑性，并实现了对SiC器件的高效保护与健康管理。
English Abstract
This article presents an integrated approach for condition monitoring (CM) and short-circuit (SC) protection in silicon carbide (SiC) mosfets. This design integrates CM and SC protection functionalities within a single circuit by employing an improved on-state voltage measurement circuit, thereby enhancing system compactness. The on-state voltage measurement circuit is specifically configured to i...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线至关重要。随着公司组串式逆变器及PowerTitan储能系统向高功率密度、高效率方向演进，SiC MOSFET的应用日益广泛。该集成保护方案能显著提升功率模块的可靠性，缩短短路故障响应时间，降低驱动电路复杂度。建议在下一代高压储能PCS及组串式逆变器研发中引入该集成监测技术，以提升产品在极端工况下的鲁棒性，并利用监测数据优化iSolarCloud平台的寿命预测与故障预警功能。