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基于隧道磁阻
TMR）且具备预测能力的SiC MOSFET模块短路与过流故障检测
| 作者 | Yuxin Feng · Shuai Shao · Jiakun Du · Qian Chen · Junming Zhang · Xinke Wu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 故障诊断 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 短路故障 过流故障 隧道磁阻 (TMR) 故障检测 功率模块 预测能力 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于隧道磁阻（TMR）传感器的SiC MOSFET模块短路与过流故障检测方案。通过将TMR传感器集成至SiC模块内部进行非侵入式电流测量，并将测量值与阈值对比，实现故障快速检测。该方法具备预测能力，可提升功率模块运行的安全性与可靠性。
English Abstract
This letter proposes a short-circuit and over-current fault detection solution for silicon-carbide (SiC) mosfet modules based on tunnel magnetoresistance (TMR). The TMR sensor is integrated into an SiC mosfet module to noninvasively measure its current. The measured current is compared with a threshold to detect short-circuit and over-current faults. The TMR sensor is installed in a chosen locatio...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有重要应用价值。随着公司产品向高功率密度、高开关频率的SiC方案演进，传统的去饱和检测法在响应速度和精度上存在瓶颈。TMR传感器提供的非侵入式、高带宽电流监测方案，能显著提升SiC功率模块在极端工况下的故障诊断能力，降低误触发率。建议研发团队在下一代高压SiC功率模块封装中引入TMR集成技术，以提升iSolarCloud智能运维平台对功率器件状态的预测性维护水平，进一步增强产品可靠性。