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功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 故障诊断 ★ 5.0

基于开关电容的实时栅源漏电流检测与间接键合线脱落监测栅极驱动器

Switched-Capacitor-Based Gate Driver With Real-Time Gate–Source Leakage Current Detection and Indirect Bond Wire Liftoff Monitoring

作者 Ho-Tin Tang · Henry Shu-Hung Chung
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2026年2月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 功率模块 可靠性分析 故障诊断
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 SiC MOSFET 栅极驱动器 串扰 栅源漏电流 键合线脱落 可靠性监测 电力电子
语言:

中文摘要

本文提出了一种SiC MOSFET栅极驱动器,通过生成自适应负压曲线,有效抑制桥式电路中的串扰引起的误导通。该驱动器具备实时栅源漏电流测量功能,并能间接监测功率模块键合线脱落故障,显著提升了宽禁带半导体器件在电力电子系统中的可靠性。

English Abstract

An SiC MOSFET gate driver constructed to generate an adaptive negative voltage profile that mitigates off-state positive voltage pulses caused by the crosstalk in a bridge-leg configuration is presented. The tail of this off-state voltage profile approaches zero, enabling it to sustain higher negative crosstalk voltage pulses. The driver also performs real-time measurements of gate–source leakage ...
S

SunView 深度解读

该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。在阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan储能系统中,SiC MOSFET已成为提升功率密度和效率的关键器件。该驱动器提出的自适应负压技术可有效解决高频开关下的串扰问题,提升系统抗干扰能力。此外,其集成的键合线脱落监测功能,为iSolarCloud智能运维平台提供了底层硬件级的故障预警手段,有助于实现从“事后维修”向“预测性维护”的转型,显著降低光伏电站及储能电站的运维成本,提升系统全生命周期可靠性。