老化对碳化硅MOSFET温度敏感电参数影响的评估

Evaluation of Aging's Effect on Temperature-Sensitive Electrical Parameters in SiC mosfets

作者	Fei Yang · Enes Ugur · Bilal Akin
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2020年6月
技术分类	功率器件技术
技术标签	SiC器件功率模块可靠性分析故障诊断
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	SiC MOSFET 温度敏感电参数 (TSEPs) 结温测量器件老化状态监测可靠性电力电子

语言:

中文摘要

温度敏感电参数（TSEPs）常用于碳化硅（SiC）MOSFET的结温监测与过温保护。然而，器件老化会干扰TSEPs的准确性，导致结温测量误差。本文全面研究了老化对多种TSEPs的影响，并提出了相应的评估方法，旨在提升功率器件在长期运行中的状态监测精度与可靠性。

English Abstract

The temperature-sensitive electrical parameters (TSEPs) have been used in silicon carbide (SiC) MOSFETS junction temperature measurement for over-temperature protection and condition monitoring. However, the device aging can affect the TSEPs and thus leads to false T3 measurement. In this article, the aging's impacts on various TSEPs are comprehensively investigated. Specifically, utilizing the dc...

SunView 深度解读

随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中大规模应用SiC功率器件，提升系统功率密度与效率的同时，如何确保高频高温下的长期可靠性成为关键。本文研究的TSEPs老化补偿技术，可直接应用于iSolarCloud智能运维平台，实现对核心功率模块的在线健康状态（SOH）评估与故障预警。建议研发团队将该评估模型集成至变流器驱动控制算法中，以消除老化带来的测温漂移，优化过温保护策略，从而延长产品全生命周期的运行稳定性。