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用于改善并联大功率SiC MOSFET模块电流共享性能的有源栅极驱动器
Active Gate Driver for Improving Current Sharing Performance of Paralleled High-Power SiC MOSFET Modules
| 作者 | Yang Wen · Yuan Yang · Yong Gao |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 有源门极驱动 电流均流 并联模块 电力电子 开关速度 功率密度 |
语言:
中文摘要
SiC MOSFET凭借高开关速度和低损耗优势，广泛应用于高功率密度电力电子系统。由于单模块电流容量有限，多模块并联是实现高功率输出的关键，但电流不均流问题是主要挑战。本文提出一种有源栅极驱动技术，旨在优化并联模块间的电流共享性能，提升系统整体可靠性与效率。
English Abstract
Featuring higher switching speed and lower losses, the silicon carbide MOSFETs (SiC MOSFETs) are widely used in higher power density and higher efficiency power electronic applications as a new solution. Due to the limited current capability of a single module, more modules parallel-connected are necessary for higher power application. However, current sharing is the key obstacle. In this article,...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。在PowerTitan系列液冷储能系统及大功率组串式光伏逆变器中，为了达到兆瓦级功率输出，SiC模块并联技术已成为主流。电流不均流会导致局部过热，降低功率器件寿命。通过引入有源栅极驱动（Active Gate Driver），可以动态调节开关过程，有效抑制并联模块间的振荡与电流不平衡，从而提升系统功率密度并降低散热设计难度。建议研发团队在下一代高压大功率PCS产品中评估该驱动方案，以进一步提升转换效率并优化系统成本。