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考虑温度相关特性的SiC MOSFET开关串扰建模与分析
Modeling and Analysis for Switching Crosstalk of SiC MOSFETs Considering Temperature- Dependent Characteristics
| 作者 | Hao Yue · Wensheng Song · Jian Chen · Tao Tang · Qiang Hu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 开关串扰 温度相关特性 转换速率 功率变换器 开关损耗 高频 |
语言:
中文摘要
相比硅器件，碳化硅(SiC) MOSFET具有更快的开关速度和更低的损耗，是高压高频变换器的理想选择。然而，其极高的电压变化率(dv/dt)和反向恢复电流会导致严重的串扰问题，特别是在高温工况下。本文针对SiC MOSFET的开关串扰进行了建模与分析。
English Abstract
Compared with silicon devices, silicon carbide (SiC) MOSFETs have faster switching speed and lower switching loss, which makes them better candidates for high voltage and high frequency power converter applications. However, the higher slew rates of the drain-source voltage and the reverse recovery current lead to more serious crosstalk problems, especially at high operating temperatures. This art...
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SunView 深度解读
SiC器件是阳光电源提升光伏逆变器和储能变流器（PCS）功率密度与效率的核心技术。随着PowerTitan等储能系统及组串式逆变器向更高电压等级和开关频率演进，SiC MOSFET的串扰问题直接影响系统的电磁兼容性(EMC)与可靠性。本文提出的温度相关串扰模型，对优化阳光电源功率模块的驱动电路设计、抑制高温下的误导通风险具有重要指导意义。建议研发团队在高温高频工况下的驱动保护策略中引入该模型，以提升产品在极端环境下的长期运行稳定性。