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10kV SiC MOSFET和二极管软开关损耗的精确瞬态量热测量
Accurate Transient Calorimetric Measurement of Soft-Switching Losses of 10-kV SiC mosfets and Diodes
| 作者 | Daniel Rothmund · Dominik Bortis · Johann Walter Kolar |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 软开关损耗 量热测量 高压 电力电子 变换器效率 半导体表征 |
语言:
中文摘要
本文针对现代高压SiC MOSFET的软开关损耗（SSL）表征难题，提出了一种精确的瞬态量热测量方法。该方法为中压固态变压器等采用软开关技术以提升转换效率的变换器系统建模提供了可靠依据，解决了传统开关损耗测量在宽禁带器件应用中的局限性。
English Abstract
The characterization of soft-switching losses (SSL) of modern high-voltage SiC MOSFETS is a difficult but necessary task in order to provide a sound basis for the accurate modeling of converter systems, such as medium-voltage-connected solid-state transformers, where soft-switching techniques are employed to achieve an improved converter efficiency. Switching losses (SL), in general, are typically...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在中压光伏接入及大型储能系统（如PowerTitan系列）中对高压功率器件需求的增加，SiC技术的应用已成为提升系统功率密度和效率的关键。本文提出的高压SiC器件软开关损耗精确测量方法，对于优化公司中压变换器拓扑设计、提升系统热管理水平具有重要参考价值。建议研发团队将其应用于高压功率模块的选型评估与损耗建模，特别是在大功率组串式逆变器及中压储能PCS的研发中，通过更精准的损耗预测，进一步优化散热设计，提升产品在极端工况下的可靠性与转换效率。