找到 68 条结果 · 功率器件技术

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功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

具有低热阻和寄生电感的PCB嵌入式SiC半桥封装单元的设计与分析

Design and Analysis of PCB Embedded SiC Half-Bridge Packaging Cells With Low Thermal Resistance and Parasitic Inductance

Chao Gu · Wei Chen · Hao Guan · Jing Jiang 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

本文设计并评估了三种PCB嵌入式1200V SiC MOSFET半桥封装单元,采用重布线层(RDL)技术替代传统引线键合工艺。研究重点在于降低寄生参数与热阻,并通过综合评估验证了其在电气性能与热管理方面的优越性。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有深远影响。随着光伏逆变器(尤其是组串式)和储能系统(如PowerTitan系列)向高功率密度和高开关频率演进,SiC器件的封装优化至关重要。PCB嵌入式封装技术能显著降低寄生电感,从而减少开关损耗和电压尖峰,提升系统效率。同时,优化的热阻设计有助于提升功率模块的散热能...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

用于有源栅极驱动优化的SiC MOSFET高保真器件建模

High-Fidelity Device Modeling of SiC MOSFETs for Active Gate Drive Optimization

Qilei Wang · Yushi Wang · Matthew Appleby · Jiaqi Yan 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

有源栅极驱动技术通过整形功率器件的开关波形,有效抑制电压过冲与振荡。针对智能、可编程栅极驱动器参数选择困难及硬件测试风险高的问题,本文提出了一种基于仿真的快速、安全优化方法,用于优化栅极电流路径及控制参数。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率,开关过程中的EMI和电压应力控制成为关键。通过高保真建模优化有源栅极驱动,可显著降低开关损耗并抑制振荡,提升系统可靠性。建议研...

功率器件技术 功率模块 强化学习 深度学习 ★ 5.0

基于人工神经网络和深度强化学习的功率模块封装多目标自动设计

Automated Design of Power Module Packaging With Multiobjectives Based on Artificial Neural Network and Deep Reinforcement Learning

Jianing Wang · Weina Mao · Baolong Yan · Shaolin Yu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

传统功率模块封装设计依赖人工经验,而基于元启发式算法的计算机辅助优化存在仿真周期长的问题。本文提出了一种基于人工神经网络和深度强化学习的多目标自动设计方法,旨在实现功率模块封装的高效优化,显著缩短设计迭代周期。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器)具有极高的应用价值。功率模块是上述产品的核心组件,其封装设计直接影响热管理、功率密度及可靠性。通过引入深度强化学习和神经网络替代传统的有限元仿真迭代,可大幅缩短研发周期,提升功率模块的散热性能与电气性...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

SiC MOSFET功率模块中用于电压过冲抑制与动态电流均流的分布式解耦电容设计方法

Design Method of Distributed Decoupling Capacitors for Both Voltage Overshoot Suppression and Dynamic Current Sharing in SiC MOSFET Power Module

Tongyu Zhang · Shuai Xiong · Laili Wang · Hongzhou Gong 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月

碳化硅(SiC)MOSFET因其卓越性能被广泛应用,但其快速开关特性带来的电压过冲限制了工作电压,且多芯片并联时的动态电流不均问题制约了模块性能。本文提出了一种分布式解耦电容设计方法,旨在同时抑制电压过冲并优化功率模块内部的动态电流分配,提升SiC功率模块的可靠性与工作效率。

解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品线(如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器)中功率模块的优化。随着公司产品向更高功率密度和更高开关频率演进,SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该分布式解耦电容设计方法能有效解决SiC模块在高压、高频切换下的电压过冲问题,提升系统可靠性;同时,...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

中压SiC MOSFET功率模块米勒区持续振荡的建模与稳定性分析

Modeling and Stability Analysis of Sustained Oscillations During the Miller Region for Medium-Voltage SiC MOSFET Power Modules

Zhixing Yan · Gao Liu · Thore Stig Aunsborg · Benjamin Futtrup Kjærsgaard 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月

本文针对10 kV SiC MOSFET功率模块在米勒区出现的持续振荡现象进行了研究。这种振荡会降低模块的鲁棒性甚至导致失效,且随栅极对底板寄生电容的增加而加剧。文章揭示了寄生电容参与振荡的内在机理,为高压功率模块的设计提供了理论支撑。

解读: 该研究对阳光电源的高压储能系统(如PowerTitan系列)及大功率组串式/集中式光伏逆变器至关重要。随着公司产品向更高电压等级(如1500V及以上)和SiC器件应用演进,栅极驱动电路的稳定性直接影响系统可靠性。文章提出的寄生电容振荡机理分析,可指导研发团队在功率模块选型、PCB布局设计及驱动电路优...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种用于高温高功率密度应用的高性能SiC功率模块三维封装结构

A High-Performance 3-D Packaging Structure of SiC Power Module for High-Temperature and High-Power-Density Applications

Baihan Liu · Yipeng Liu · Yiyang Yan · Jianwei Lv 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月

本研究旨在将垂直芯片堆叠(VCS)封装结构应用于高温环境,以突破现有高温封装在寄生电感和热阻方面的性能瓶颈。针对传统PCB型VCS封装在结温控制方面的局限性,本文提出了一种优化方案,旨在提升SiC功率模块在极端工况下的热管理能力与电气性能。

解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着光伏逆变器和储能PCS(如PowerTitan系列)向更高功率密度和更高效率演进,SiC器件的应用已成为主流。该三维封装技术能显著降低寄生电感,有助于提升高频开关下的效率并减小磁性元件体积,直接利好组串式逆变器和储能变流器的轻量化设计。同时,其优化的热管理...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

基于多晶金刚石的单面冷却SiC MOSFET功率器件增强型热电互连

Enhanced Thermal–Electrical Interconnect for Single-Sided Cooling SiC MOSFET Power Device Based on Polycrystalline Diamond

Tongyu Zhang · Laili Wang · Xin Zhang · Jin Zhang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月

碳化硅(SiC)MOSFET因其优异性能备受关注,但传统引线键合互连方式散热受限,且芯片尺寸减小加剧了热扩散问题。本文提出一种基于多晶金刚石的增强型热电互连技术,旨在提升单面冷却SiC MOSFET的散热能力,从而突破电流运行限制。

解读: 该技术直接针对SiC功率模块的散热瓶颈,对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要意义。随着功率密度不断提升,SiC器件的散热能力决定了系统的可靠性与功率等级。引入多晶金刚石互连技术可显著降低结温,提升模块热循环寿命,建议研发团队关注该材料在高性能SiC功率...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

用于SiC模块端子开关电流测量的毫米级200 MHz带宽磁场传感器

Millimetre-Scale 200 MHz Bandwidth Magnetic Field Sensor to Measure Switching Current in SiC Module Terminals With Minimal Insertion Inductance

Jiaqi Yan · Yushi Wang · Harry C. P. Dymond · Sebastian Neira 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

本文提出了一种微型电流传感器设计方案,专门用于SiC功率模块端子。该传感器解决了传统罗氏线圈在空间受限或影响母排性能场景下的应用难题,通过在模块端子间插入低电感铜垫片实现电流传感,具有高带宽和低插入电感的特性。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中大规模应用SiC功率模块,高频开关下的电流精准监测对于提升系统效率和保护器件至关重要。该传感器技术能有效解决SiC高频开关带来的寄生参数干扰问题,有助于优化逆变器及PCS的驱动电路设计,提升功率密度。建议研发团队关注此传感技术的集成化方案,将...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种考虑工作温度的碳化硅(SiC) MOSFET模块短路保护新方案

A Novel Short-Circuit Protection Scheme for Silicon Carbide (SiC) MOSFET Module Considering Operation Temperature

Yang Wen · Yuan Yang · Yan Li · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月

碳化硅(SiC) MOSFET凭借高开关速度和低损耗优势,在电力电子领域应用广泛。然而,其有限且随温度变化的短路耐受能力是制约其大规模应用的关键瓶颈。本文提出了一种基于功率评估的短路保护(SCP)新方案,旨在有效提升SiC器件在不同温度下的运行可靠性。

解读: 该研究直接针对SiC MOSFET的短路保护瓶颈,对阳光电源的组串式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器及风电变流器等核心产品具有极高的应用价值。随着公司产品向更高功率密度和更高效率迭代,SiC器件的应用比例持续提升,但其短路耐受时间短、对温度敏感等特性对驱动电路设计提出了严...

功率器件技术 功率模块 可靠性分析 热仿真 ★ 5.0

高可靠性、低成本瞬态液相键合用于功率模块大面积互连

High-Reliability and Cost-Efficient Transient Liquid Phase Bonding for Large-Area Interconnects in Power Modules

Yuzhi Ouyang · Junliang Lu · Haidong Yan · Sihui Hong 等5人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年7月 · Vol.16

本研究采用多孔Cu-Sn基焊料实现瞬态液相键合(TLP),显著缩短工艺时间并形成高熔点IMC稳定接头;优化参数下剪切强度达49.2 MPa,室温热导率达112.3 W/(m·K);经1000次热冲击后强度保持率超82%,验证其在功率模块中长期高可靠性。

解读: 该TLP键合技术可直接提升阳光电源组串式逆变器、ST系列PCS及PowerTitan储能系统的功率模块封装可靠性与热管理性能。多孔Cu-TLP工艺替代传统烧结银,降低成本并增强高温循环稳定性,特别适用于高温工况下的1500V+高压平台产品。建议在下一代SiC基组串逆变器和液冷型PowerStack模...

功率器件技术 SiC器件 强化学习 ★ 5.0

一种物理信息辅助的深度强化学习方法用于大规模TSV阵列的信号与电源完整性优化

A Physics-Assisted Deep Reinforcement Learning Methodology for Signal and Power Integrity Optimization of Large-Scale TSV Arrays

Bingheng Li · Ling Zhang · Hanzhi Ma · Li Jiang 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年5月

高带宽内存(HBM)中硅通孔(TSV)阵列的信号完整性(SI)和电源完整性(PI)优化对于提高系统可靠性至关重要。然而,以往的研究大多侧重于单独的 SI 或 PI 优化,尚未实现具有良好收敛性的 SI/PI 优化。基于 TSV 阵列 SI/PI 优化的物理机制,本文提出了一种新颖的物理辅助深度强化学习(DRL)方法。开发了一种分治策略来处理大规模 TSV 阵列。利用物理机制设计 DRL 方法的细节,从而将不同的优化场景(SI 优化、PI 优化和 SI/PI 协同优化)统一到一个单一的过程中,设计...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于物理辅助深度强化学习的硅通孔(TSV)阵列信号与电源完整性优化技术,对我们的高功率密度产品开发具有重要参考价值。 在光伏逆变器和储能变流器领域,功率半导体模块的集成度不断提升,多芯片封装和3D集成技术正成为提高功率密度的关键路径。该论文针对高带宽存储器中TSV阵列...

功率器件技术 SiC器件 ★ 5.0

基于局域接触电势探测的运行中SiC功率MOSFET内部电场分布研究

Anatomy of internal electric field profile in operating SiC power MOSFETs with local contact potential probing

Mingsheng Fang · Yan Liu · Ting Zhang · Dandan Wang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126

本文利用局域接触电势探测技术,对工作状态下的碳化硅(SiC)功率MOSFET内部电场分布进行了高分辨率表征。通过开尔文探针力显微镜(KPFM)在器件动态运行条件下直接映射其表面电势与内部电场空间分布,揭示了栅极边缘与沟道区域附近的电场集中现象及其随偏置条件演变的规律。研究结果阐明了关键电场分布特征与器件可靠性、击穿机制之间的关联,为优化SiC MOSFET结构设计和提升器件性能提供了实验依据。

解读: 该研究对阳光电源的SiC器件应用具有重要指导意义。通过KPFM技术揭示的电场分布特征,可直接指导SG系列高功率密度光伏逆变器和ST系列储能变流器中SiC MOSFET的选型与应用。特别是对栅极边缘与沟道区域的电场集中现象的深入理解,有助于优化器件驱动电路设计,提升产品可靠性。这些发现可用于改进Pow...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种基于气密性敷形涂层的250°C碳化硅功率模块高温封装方法

A Hermetic Conformal Coating Based High-Temperature Encapsulation Method for 250 °C SiC Power Module

Yunchan Wu · Zhiqiang Wang · Rong Zhang · Guoqing Xin 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月

碳化硅(SiC)器件在高温高功率应用中极具潜力,但传统硅凝胶封装难以满足250°C以上长期可靠运行的需求。本文提出了一种气密性敷形涂层(HCC)封装方法,有效提升了高温环境下的封装可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的SiC应用至关重要。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向更高功率密度和更小体积演进,功率模块的散热与高温可靠性成为核心瓶颈。HCC封装技术能显著提升SiC模块在极端环境下的寿命,建议研发团队关注该工艺在下一代高压、高温SiC功率模块中的应用,以进一步优化逆变器及...

功率器件技术 GaN器件 ★ 5.0

集成n型和p型铁电有机晶体管的互补式存内逻辑反相器

Complementary logic-in-memory inverters integrating n-channel and p-channel ferroelectric organic transistors

Haitian Wei · Yijie Lin · Zhenxiang Yan · Wenfa Xie 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年2月 · Vol.126

本文报道了一种基于n型和p型铁电有机薄膜晶体管的互补式存内逻辑反相器。通过在同一器件中集成具有稳定极化特性的n沟道与p沟道铁电有机晶体管,实现了非易失性存储与逻辑运算功能的协同集成。该反相器展现出良好的开关特性、清晰的逻辑输出以及低功耗操作能力。研究为实现高性能有机存内计算电路提供了可行路径,并推动了柔性、可穿戴电子器件中智能信息处理技术的发展。

解读: 该铁电有机晶体管存内逻辑技术对阳光电源智能控制系统有重要启发价值。其非易失性存储与逻辑运算的协同集成特性,可应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的控制器升级,实现更快速的MPPT追踪和系统响应。特别是在PowerTitan大型储能系统中,该技术有望优化电力调度策略的本地计算效率,降低控制延时...

功率器件技术 SiC器件 ★ 5.0

基于开源数据库的功率变换器铁芯损耗预测

Predicting core losses in power converters based on open source database

Yan Zhou · Minmin Zhang · IET Power Electronics · 2025年2月 · Vol.18

提出一种基于开源数据库与数据驱动物理模型的铁芯损耗预测方法。该方法针对特定预测点,可自动执行流程中的两条路径,提升预测效率与准确性。通过整合实测数据与物理建模,实现对不同工况下功率变换器磁性元件损耗的精确估计,为电力电子系统设计与优化提供有效支持。

解读: 该铁芯损耗预测技术对阳光电源的功率变换器产品线具有重要应用价值。首先可用于SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频变压器设计优化,通过精确预测不同工况下的铁芯损耗,提升变换效率。其次可应用于车载OBC和充电桩等新能源汽车产品的磁性元件设计,基于开源数据库快速评估不同磁芯材料的损耗特性。该方法结合...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种具有低寄生电感和高动态均流性能的2.5D多芯片SiC MOSFET功率模块

A 2.5D Multichip SiC MOSFET Power Module With Low Parasitic Inductance and High Dynamic Current Sharing Performance

Zexiang Zheng · Jianwei Lv · Yiyang Yan · Jiaxin Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

多芯片碳化硅(SiC)功率模块的寄生电感和动态均流性能限制了器件性能。传统2D封装难以兼顾电气性能,而3D封装工艺复杂且可靠性有待验证。本文提出了一种新型2.5D键合线封装技术,旨在优化多芯片SiC模块的电学特性与均流表现。

解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统向高功率密度、高效率方向演进,SiC器件的应用已成为提升整机效率的关键。2.5D封装技术在降低寄生电感的同时平衡了工艺复杂度和可靠性,非常契合阳光电源对高性能功率模块的需求。建议研发团队关注该封装结构在高温...

功率器件技术 IGBT 可靠性分析 深度学习 ★ 5.0

基于LSTM网络的IGBT结温时间序列特性表征方法

A Time Series Characterization of IGBT Junction Temperature Method Based on LSTM Network

Zheng-Wei Du · Yu Zhang · Yuankui Wang · Zhiyuan Chen 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

准确的结温表征对IGBT模块的性能优化与可靠性设计至关重要。针对现有方法多关注特定时刻温度预测而非时间序列变化的问题,本文提出了一种基于长短期记忆(LSTM)网络的方法,通过捕捉结温的时间演变特征,实现了对IGBT结温的精确追踪与表征。

解读: IGBT是阳光电源光伏逆变器、储能变流器(PCS)及风电变流器的核心功率器件。结温直接决定了器件的寿命与系统的可靠性。该研究利用LSTM网络实现结温的时间序列追踪,可深度集成于iSolarCloud智能运维平台,实现对组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统内部功率模块的实时...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

并联SiC MOSFET不平衡开关电流与损耗的定量分析模型

A Quantitative Analytical Model of Paralleled SiC MOSFETs for Calculating Unbalanced Switching Currents and Energy

Jianwei Lv · Cai Chen · Yiyang Yan · Baihan Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

并联SiC MOSFET间的不均匀动态电流会导致开关损耗失衡,影响电路可靠性。本文提出了一种定量评估并联SiC MOSFET开关过程中动态电流不平衡的分析模型,旨在解决现有建模方法在精度与计算复杂度方面的挑战,为电力电子电路的设计与应用提供理论支撑。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的高功率密度产品设计。在PowerTitan储能系统及大功率组串式/集中式光伏逆变器中,SiC MOSFET的并联应用是提升效率和减小体积的关键。该定量模型能够帮助研发团队在设计阶段精确评估电流不平衡带来的热应力分布,优化驱动电路布局与参数匹配,从而提升功率模块在极端工况下的...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种用于高温应用、低热应力的SiC功率模块双面冷却无键合线封装结构

A Low-Thermal-Stress Double-Sided Cooling Wire-Bondless Package Structure of SiC Power Modules for High-Temperature Applications

Baihan Liu · Cai Chen · Jianwei Lv · Shuangxi Zhu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

为发挥碳化硅(SiC)的高温耐受优势,传统封装结构已难以满足需求。本文提出一种双面冷却(DSC)无键合线封装结构,消除了传统封装中可靠性薄弱的键合线,并具备低寄生电感和优异的热性能,为高温功率模块设计提供了新方案。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有重大战略意义。在组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS中,SiC器件的应用已成为提升功率密度和效率的关键。该双面冷却无键合线封装技术能显著降低寄生电感,有效抑制开关过电压,并提升模块在高温环境下的可靠性。建议研发团队关注此封装工艺在下一代高功率密度光伏逆变器...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种基于交错功率回路的超低寄生电感双面散热碳化硅功率模块

A Novel Double-Sided Cooling Silicon Carbide Power Module With Ultralow Parasitic Inductance Based on an Interleaved Power Loop

Yiyang Yan · Baihan Liu · Jianwei Lv · Zexiang Zheng 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

随着开关速度提升,功率模块需具备更低寄生电感。本文总结了三种降低寄生电感的方法,并据此提出一种新型双面散热功率模块结构。该结构通过在裸片下方放置隔片,并利用铜夹实现不同铜层间的电气连接,有效降低了回路电感,提升了高频工作下的性能。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要意义。随着光伏和储能系统向高功率密度、高开关频率方向发展,SiC器件的应用已成为提升效率和减小体积的关键。该文提出的双面散热与低寄生电感设计,能显著改善SiC模块的热管理能力,降低开关损耗与电压尖峰。建议研发团...

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