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功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 热仿真 ★ 5.0

一种用于高温应用、低热应力的SiC功率模块双面冷却无键合线封装结构

A Low-Thermal-Stress Double-Sided Cooling Wire-Bondless Package Structure of SiC Power Modules for High-Temperature Applications

作者 Baihan Liu · Cai Chen · Jianwei Lv · Shuangxi Zhu · Yiyang Yan · Mengyao Du · Jiaxin Liu · Yong Kang
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2024年11月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 功率模块 可靠性分析 热仿真
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 碳化硅 SiC 双面冷却 功率模块 无键合线 热应力 高温应用 封装
语言:

中文摘要

为发挥碳化硅(SiC)的高温耐受优势,传统封装结构已难以满足需求。本文提出一种双面冷却(DSC)无键合线封装结构,消除了传统封装中可靠性薄弱的键合线,并具备低寄生电感和优异的热性能,为高温功率模块设计提供了新方案。

English Abstract

To leverage the outstanding high-temperature resistance of silicon carbide (SiC), theoretically up to 500 °C, conventional packaging materials, and structures have become inadequate to meet the requirements. The double-sided cooling (DSC) package structure can eliminate power bond wires, which are the reliability weak points in the conventional package, and has low parasitic inductance and low the...
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SunView 深度解读

该技术对阳光电源的核心产品线具有重大战略意义。在组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS中,SiC器件的应用已成为提升功率密度和效率的关键。该双面冷却无键合线封装技术能显著降低寄生电感,有效抑制开关过电压,并提升模块在高温环境下的可靠性。建议研发团队关注此封装工艺在下一代高功率密度光伏逆变器及储能变流器中的应用,以应对高频化带来的散热挑战,进一步优化产品体积与可靠性指标。