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功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 热仿真 ★ 5.0

一种基于交错功率回路的超低寄生电感双面散热碳化硅功率模块

A Novel Double-Sided Cooling Silicon Carbide Power Module With Ultralow Parasitic Inductance Based on an Interleaved Power Loop

作者 Yiyang Yan · Baihan Liu · Jianwei Lv · Zexiang Zheng · Jiaxin Liu · Cai Chen · Yong Kang
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2024年10月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 热仿真
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 双面冷却 SiC 功率模块 寄生电感 交错功率回路 开关速度
语言:

中文摘要

随着开关速度提升,功率模块需具备更低寄生电感。本文总结了三种降低寄生电感的方法,并据此提出一种新型双面散热功率模块结构。该结构通过在裸片下方放置隔片,并利用铜夹实现不同铜层间的电气连接,有效降低了回路电感,提升了高频工作下的性能。

English Abstract

Higher switching speed requires power module package to have lower parasitic inductance. This article summarized three methods to realize low parasitic inductance. Based on these methods, this article proposed a novel double-sided cooling power module structure, which places the spacer under the bare die and utilizes the copper clips to realize the electrical connection between different copper la...
S

SunView 深度解读

该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要意义。随着光伏和储能系统向高功率密度、高开关频率方向发展,SiC器件的应用已成为提升效率和减小体积的关键。该文提出的双面散热与低寄生电感设计,能显著改善SiC模块的热管理能力,降低开关损耗与电压尖峰。建议研发团队关注该封装技术在下一代高压、大电流PCS产品中的应用,以进一步提升系统效率并降低散热成本,增强产品在极端工况下的可靠性。