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一种具有超低寄生电感和集成PCB微管冷却的无引线PCB加DBC混合SiC MOSFET功率模块
A Wire-Free PCB Plus DBC Hybrid SiC MOSFET Power Module With Ultra-Low Parasitic Inductance and Integrated PCB Microtube Cooling
| 作者 | Liyu Yao · Jinpeng Cheng · Shuyu Liu · Hao Feng · Li Ran |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 预计 2026年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 功率模块 寄生电感 PCB封装 微管冷却 热管理 宽禁带器件 |
语言:
中文摘要
碳化硅（SiC）器件虽具备高开关速度和功率密度，但受限于寄生电感和散热能力。传统PCB封装多采用引线键合，存在寄生电感大、单面散热效率低等问题。本文提出一种无引线PCB与DBC混合封装结构，通过集成PCB微管冷却技术，显著降低了寄生电感并提升了散热性能。
English Abstract
Silicon carbide power devices offer high switching speeds and power densities but are constrained by significant parasitic inductance and limited thermal dissipation capability. Conventional printed circuit board (PCB) packaging often rely on wire bonding, presenting optimization challenges in parasitic inductance and cooling efficacy due to its typical single-sided cooling configuration. This art...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，提升功率密度和开关频率是核心竞争力。该无引线封装技术能有效抑制SiC器件在高频开关下的电压尖峰，降低开关损耗，同时通过微管冷却解决高功率密度下的热瓶颈。建议研发团队关注该封装工艺在下一代高压、大电流SiC功率模块中的应用，以进一步缩小逆变器体积并提升整机效率，助力产品在极端工况下的可靠性提升。