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考虑动态传输特性和Qgd的SiC MOSFET精确解析开通损耗模型
Accurate Analytical Switching-On Loss Model of SiC MOSFET Considering Dynamic Transfer Characteristic and Qgd
| 作者 | Zezheng Dong · Xinke Wu · Hongyi Xu · Na Ren · Kuang Sheng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 开通损耗 解析模型 动态传输特性 Qgd 电力电子 热设计 |
语言:
中文摘要
碳化硅（SiC）器件助力电力电子设备实现小型化与高效化，但散热设计成为系统设计的关键。本文提出了一种基于数据手册参数的SiC MOSFET解析开通损耗模型，通过考虑动态传输特性和栅漏电荷（Qgd）的影响，实现了对功率损耗的精确评估，为优化散热设计及提升系统功率密度提供了理论支撑。
English Abstract
Silicon carbide (SiC) devices enable more compact and efficient design of applications such as traction inverters and rectifiers. With miniaturization of power electronics, the volume and weight of heatsink or cold plate occupies a significant portion. So, thermal design, especially power loss evaluation, is crucial to the whole system. Analytical switching model based on datasheet parameters is u...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统向高功率密度演进，SiC器件的应用日益广泛。该解析模型能显著提升研发阶段对SiC MOSFET损耗的预测精度，从而优化散热器选型与PCB布局，降低系统体积与成本。建议将该模型集成至iSolarCloud的数字孪生运维平台或研发仿真工具链中，以辅助提升逆变器与PCS产品的热管理效率，确保在极端工况下的可靠性与转换效率，进一步巩固公司在电力电子技术领域的领先地位。