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功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 热仿真 ★ 5.0

具有低热阻和寄生电感的PCB嵌入式SiC半桥封装单元的设计与分析

Design and Analysis of PCB Embedded SiC Half-Bridge Packaging Cells With Low Thermal Resistance and Parasitic Inductance

作者 Chao Gu · Wei Chen · Hao Guan · Jing Jiang · Guanqiang Song · Yuhong Li · Tiancheng Tian · Junwei Chen · Xuyang Yan · Guoqi Zhang · Jiajie Fan
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 预计 2026年5月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 热仿真
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 SiC MOSFET PCB 嵌入式封装 封装 寄生电感 热阻 重布线层 (RDL) 技术 电力电子
语言:

中文摘要

本文设计并评估了三种PCB嵌入式1200V SiC MOSFET半桥封装单元,采用重布线层(RDL)技术替代传统引线键合工艺。研究重点在于降低寄生参数与热阻,并通过综合评估验证了其在电气性能与热管理方面的优越性。

English Abstract

Reducing parasitic parameters and thermal resistance is critical for advancing power electronic devices. This article designs and evaluates the three printed circuit board (PCB) embedded 1200 V SiC mosfet half-bridge packaging cells, where the traditional wire bonding process is replaced by a redistribution layer (RDL) technique. A comprehensive evaluation of their electrical performance, thermal ...
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SunView 深度解读

该技术对阳光电源的核心产品线具有深远影响。随着光伏逆变器(尤其是组串式)和储能系统(如PowerTitan系列)向高功率密度和高开关频率演进,SiC器件的封装优化至关重要。PCB嵌入式封装技术能显著降低寄生电感,从而减少开关损耗和电压尖峰,提升系统效率。同时,优化的热阻设计有助于提升功率模块的散热能力,从而减小散热器体积,进一步降低整机成本并提升可靠性。建议研发团队关注该技术在下一代高频、高功率密度逆变器及储能PCS模块中的应用潜力,以保持行业技术领先地位。