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功率器件技术 GaN器件 ★ 5.0

集成n型和p型铁电有机晶体管的互补式存内逻辑反相器

Complementary logic-in-memory inverters integrating n-channel and p-channel ferroelectric organic transistors

作者 Haitian Wei · Yijie Lin · Zhenxiang Yan · Wenfa Xie · Wei Wang
期刊 Applied Physics Letters
出版日期 2025年1月
卷/期 第 126 卷 第 8 期
技术分类 功率器件技术
技术标签 GaN器件
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 互补逻辑内存反相器 n沟道 p沟道 铁电有机晶体管 应用物理快报
语言:

中文摘要

本文报道了一种基于n型和p型铁电有机薄膜晶体管的互补式存内逻辑反相器。通过在同一器件中集成具有稳定极化特性的n沟道与p沟道铁电有机晶体管,实现了非易失性存储与逻辑运算功能的协同集成。该反相器展现出良好的开关特性、清晰的逻辑输出以及低功耗操作能力。研究为实现高性能有机存内计算电路提供了可行路径,并推动了柔性、可穿戴电子器件中智能信息处理技术的发展。

English Abstract

Haitian Wei, Yijie Lin, Zhenxiang Yan, Wenfa Xie, Wei Wang; Complementary logic-in-memory inverters integrating n-channel and p-channel ferroelectric organic transistors. _Appl. Phys. Lett._ 24 February 2025; 126 (8): 083301.
S

SunView 深度解读

该铁电有机晶体管存内逻辑技术对阳光电源智能控制系统有重要启发价值。其非易失性存储与逻辑运算的协同集成特性,可应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的控制器升级,实现更快速的MPPT追踪和系统响应。特别是在PowerTitan大型储能系统中,该技术有望优化电力调度策略的本地计算效率,降低控制延时。此外,其低功耗特性也适合iSolarCloud平台的边缘计算终端,提升分布式能源管理的实时性能。作为新型功率器件技术路线,值得在下一代产品控制芯片中进行验证研究。