找到 45 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
一种基于零矢量转换的三电平简化NPC逆变器调制方法
A Novel Zero Vector Transitions Based Modulation Method for Three-Level Simplified NPC Inverter With Zero Switching Loss of Inverter Stage Devices
Shuangxi Zhu · Jiajia Guan · Xuchen Sun · Xinyue Guo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
本文针对三电平简化中点钳位（NPC）逆变器，提出了一种新型空间矢量调制方法。该方法通过优化零矢量转换，有效降低了逆变级器件的开关损耗，特别是在非单位功率因数条件下，显著提升了系统效率，为三相逆变系统提供了更优的性能方案。
解读: 该技术直接契合阳光电源核心产品线——光伏逆变器（尤其是组串式与集中式逆变器）及储能变流器（PCS）。三电平拓扑是阳光电源实现高功率密度与高效率的关键技术路径。该调制方法通过降低开关损耗，能够显著提升逆变器的整机效率，特别是在工商业光伏及大型地面电站应用中，有助于降低散热成本并提升系统可靠性。建议研发...
一种用于高温高功率密度应用的高性能SiC功率模块三维封装结构
A High-Performance 3-D Packaging Structure of SiC Power Module for High-Temperature and High-Power-Density Applications
Baihan Liu · Yipeng Liu · Yiyang Yan · Jianwei Lv 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月
本研究旨在将垂直芯片堆叠（VCS）封装结构应用于高温环境，以突破现有高温封装在寄生电感和热阻方面的性能瓶颈。针对传统PCB型VCS封装在结温控制方面的局限性，本文提出了一种优化方案，旨在提升SiC功率模块在极端工况下的热管理能力与电气性能。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着光伏逆变器和储能PCS（如PowerTitan系列）向更高功率密度和更高效率演进，SiC器件的应用已成为主流。该三维封装技术能显著降低寄生电感，有助于提升高频开关下的效率并减小磁性元件体积，直接利好组串式逆变器和储能变流器的轻量化设计。同时，其优化的热管理...
基于相量分析的直流/交流变换器有源共模EMI滤波器设计方法
Phasor Analysis-Based Design Method for Active Common-Mode EMI Filter in DC/AC Converters
Qichi Chen · Peng Zhou · Xuejun Pei · Yi Yu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月
本文提出了一种用于直流/交流变换器的有源共模（CM）EMI滤波器（AEF）设计方法。由于AEF的非理想性，补偿电流与噪声电流之间的相位差随频率变化，难以维持180°。该方法通过相量分析确定相位差对噪声抑制性能的影响，从而优化AEF的关键参数设计。
解读: 该研究对于阳光电源的核心产品线（组串式逆变器、集中式逆变器及储能PCS）具有极高的应用价值。随着电力电子变换器功率密度的提升，EMI干扰问题日益突出，传统的无源滤波器体积庞大。引入有源EMI滤波技术（AEF）不仅能有效减小滤波器体积，提升系统功率密度，还能优化电磁兼容性设计，降低认证风险。建议研发团...
一种具有电压调节功能的高效率MHz集成三相交错Boost-LLC变换器
A High-Efficiency MHz-Integrated Three-Phase Interleaved Boost–LLC Converter With Voltage Regulation
Jiajia Guan · Shuangxi Zhu · Xuchen Sun · Jin Wen 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月
针对三相交错LLC变换器同步整流困难及宽电压调节范围难以实现的问题，本文提出了一种基于桥臂复用技术的三相交错Boost与三相交错LLC集成拓扑。该拓扑通过特定的调制策略，有效提升了变换效率并降低了输出纹波，为高功率密度电力电子变换提供了新的解决方案。
解读: 该研究提出的MHz高频集成拓扑与阳光电源在组串式光伏逆变器及PowerStack储能系统中的高功率密度设计趋势高度契合。通过桥臂复用技术，可显著减少器件数量，提升系统集成度，有助于进一步缩小逆变器和PCS的体积。建议研发团队关注该拓扑在高频化下的磁性元件设计及EMI抑制方案，将其应用于下一代超紧凑型...
一种基于衰减可调性的混合共模EMI滤波器新型设计方法
A Novel Design Method for Hybrid Common-Mode EMI Filters Based on Attenuation Adjustability
Qichi Chen · Peng Zhou · Xuejun Pei · Yi Yu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
混合共模EMI滤波器（HEF）结合了有源EMI滤波器（AEF）和无源EMI滤波器（PEF），利用两者在不同频段的互补特性实现高效抑制。本文提出了一种基于衰减可调性的新型设计方法，解决了传统HEF设计中仅针对最大衰减需求而忽略了实际EMI抑制需求的问题，优化了滤波器性能。
解读: EMI抑制是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器等高功率密度产品设计的核心挑战。随着开关频率提升和宽禁带半导体应用，传统无源滤波器体积大、成本高。该研究提出的混合EMI滤波设计方法，能够有效平衡低频与高频段的噪声抑制需求，有助于减小滤波器体积，提升产品功率密度。...
一种具有低寄生电感和高动态均流性能的2.5D多芯片SiC MOSFET功率模块
A 2.5D Multichip SiC MOSFET Power Module With Low Parasitic Inductance and High Dynamic Current Sharing Performance
Zexiang Zheng · Jianwei Lv · Yiyang Yan · Jiaxin Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
多芯片碳化硅（SiC）功率模块的寄生电感和动态均流性能限制了器件性能。传统2D封装难以兼顾电气性能，而3D封装工艺复杂且可靠性有待验证。本文提出了一种新型2.5D键合线封装技术，旨在优化多芯片SiC模块的电学特性与均流表现。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统向高功率密度、高效率方向演进，SiC器件的应用已成为提升整机效率的关键。2.5D封装技术在降低寄生电感的同时平衡了工艺复杂度和可靠性，非常契合阳光电源对高性能功率模块的需求。建议研发团队关注该封装结构在高温...
并联SiC MOSFET不平衡开关电流与损耗的定量分析模型
A Quantitative Analytical Model of Paralleled SiC MOSFETs for Calculating Unbalanced Switching Currents and Energy
Jianwei Lv · Cai Chen · Yiyang Yan · Baihan Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
并联SiC MOSFET间的不均匀动态电流会导致开关损耗失衡，影响电路可靠性。本文提出了一种定量评估并联SiC MOSFET开关过程中动态电流不平衡的分析模型，旨在解决现有建模方法在精度与计算复杂度方面的挑战，为电力电子电路的设计与应用提供理论支撑。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的高功率密度产品设计。在PowerTitan储能系统及大功率组串式/集中式光伏逆变器中，SiC MOSFET的并联应用是提升效率和减小体积的关键。该定量模型能够帮助研发团队在设计阶段精确评估电流不平衡带来的热应力分布，优化驱动电路布局与参数匹配，从而提升功率模块在极端工况下的...
一种用于高温应用、低热应力的SiC功率模块双面冷却无键合线封装结构
A Low-Thermal-Stress Double-Sided Cooling Wire-Bondless Package Structure of SiC Power Modules for High-Temperature Applications
Baihan Liu · Cai Chen · Jianwei Lv · Shuangxi Zhu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月
为发挥碳化硅（SiC）的高温耐受优势，传统封装结构已难以满足需求。本文提出一种双面冷却（DSC）无键合线封装结构，消除了传统封装中可靠性薄弱的键合线，并具备低寄生电感和优异的热性能，为高温功率模块设计提供了新方案。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有重大战略意义。在组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS中，SiC器件的应用已成为提升功率密度和效率的关键。该双面冷却无键合线封装技术能显著降低寄生电感，有效抑制开关过电压，并提升模块在高温环境下的可靠性。建议研发团队关注此封装工艺在下一代高功率密度光伏逆变器...
一种基于双闭环自调节有源栅极驱动器的过冲与开关损耗最优折中控制策略
A Novel Control Strategy for Optimal Tradeoff between Overshoot and Switching Loss Based on Double Closed-Loop Self-Regulating Active Gate Driver
Xinbo Chen · Han Peng · Shijie Song · Qiaoling Tong 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
在碳化硅（SiC）MOSFET关断过程中，电压过冲的抑制往往伴随着开关损耗的增加。现有有源栅极驱动器（AGD）难以在不同工况下实现两者的最优平衡。本文提出一种双闭环自调节有源栅极驱动策略，旨在实现过冲与开关损耗的动态最优折中。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有重要价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS向高功率密度、高效率方向演进，SiC器件的应用日益广泛。该自调节有源栅极驱动技术能有效解决SiC在高频开关下的电压尖峰问题，在保证可靠性的前提下进一步提升系统效率。建议研发团队在下一代高压储能变流器及大...
一种基于交错功率回路的超低寄生电感双面散热碳化硅功率模块
A Novel Double-Sided Cooling Silicon Carbide Power Module With Ultralow Parasitic Inductance Based on an Interleaved Power Loop
Yiyang Yan · Baihan Liu · Jianwei Lv · Zexiang Zheng 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
随着开关速度提升，功率模块需具备更低寄生电感。本文总结了三种降低寄生电感的方法，并据此提出一种新型双面散热功率模块结构。该结构通过在裸片下方放置隔片，并利用铜夹实现不同铜层间的电气连接，有效降低了回路电感，提升了高频工作下的性能。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要意义。随着光伏和储能系统向高功率密度、高开关频率方向发展，SiC器件的应用已成为提升效率和减小体积的关键。该文提出的双面散热与低寄生电感设计，能显著改善SiC模块的热管理能力，降低开关损耗与电压尖峰。建议研发团...
一种用于并联SiC MOSFET的门极支路全耦合电感动态均流方法
A Dynamic Current Balancing Method for Paralleled SiC MOSFETs With Gate-Branch Full-Coupled Inductors
Jianwei Lv · Yiyang Yan · Jiaxin Liu · Baihan Liu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
在多芯片SiC功率模块中，并联芯片间的动态电流不平衡会导致开关损耗和结温差异，从而缩短器件寿命。现有均流方法存在集成度低或效果不佳的问题。本文提出了一种在门极支路采用全耦合电感的高集成度均流方法，有效改善了并联SiC MOSFET的动态电流分配。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有重要意义。在PowerTitan等大型储能PCS及组串式光伏逆变器中，高功率密度要求大量使用并联SiC MOSFET模块。该均流方法能显著降低并联芯片间的动态不平衡，直接提升功率模块的可靠性与热稳定性，有助于延长产品使用寿命。建议研发团队在下一代高功率密度SiC模块设...
考虑布局主导互感耦合的多芯片并联SiC MOSFET动态均流模型
A Dynamic Current Sharing Model of Multichip Parallel SiC MOSFETs Considering Layout-Dominated Mutual Inductance Coupling
Zexiang Zheng · Cai Chen · Jianwei Lv · Yiyang Yan 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
并联SiC MOSFET的动态电流不平衡会导致损耗不均甚至热失控。由布局引起的寄生参数不平衡是主要原因。本文提出了一种定量模型，全面考虑了所有电感及互感耦合，以分析并联SiC MOSFET的动态均流问题。
解读: 该研究对阳光电源的高功率密度产品至关重要。随着PowerTitan系列储能系统及组串式逆变器向更高功率等级演进，SiC MOSFET并联应用日益广泛。该模型能精准指导功率模块的PCB布局与叠层设计，有效抑制动态电流不平衡，从而降低开关损耗、提升热稳定性，并延长核心功率器件的使用寿命。建议研发团队将其...
三相电压源逆变器开路故障的实时诊断
Real-Time Diagnosis of Open Circuit Faults in Three-Phase Voltage Source Inverters
Yu Luo · Li Zhang · Chunyang Chen · Kang Li 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年6月
本文研究了三相电压源逆变器（VSI）中单管及双管开路故障（OCF）的实时诊断方法。通过持续分析三相电流波形，提取由开关管开路引起的异常电流模式，定义为故障检测波形（FDW），并利用其电流值实现故障的快速定位与诊断。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务至关重要。逆变器作为光伏和储能系统的核心，其可靠性直接影响电站运维成本（O&M）。该实时诊断算法可集成至iSolarCloud智能运维平台，实现对组串式及集中式逆变器功率模块故障的预警与精准定位，显著缩短故障排查时间。建议研发团队将此算法嵌入到逆变器DSP控制固件中，提升产...
基于改进模型的考虑寄生互感的并联SiC MOSFET动态均流机制分析
Dynamic Current Sharing Mechanism Analysis of Paralleled SiC MOSFETs Considering Parasitic Mutual Inductances Based on an Improved Model
Jianwei Lv · Cai Chen · Baihan Liu · Yiyang Yan 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年6月
并联SiC MOSFET间的动态电流不平衡会导致开关损耗差异并限制电流容量。本文旨在研究电路参数，特别是寄生互感不平衡及并联参数共用值对电流分配的影响。通过建立改进的电路模型，揭示了寄生参数对动态均流的具体作用机制，为高功率密度变换器的设计提供了理论支撑。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的高功率密度产品研发。在PowerTitan储能系统及大功率组串式/集中式光伏逆变器中，SiC MOSFET的并联应用是提升效率和功率密度的关键。研究中关于寄生互感对动态均流的影响分析，对于优化功率模块布局、降低开关损耗以及提升系统长期可靠性具有直接指导意义。建议研发团队在后...
三相交错LLC电流均衡分析及降低杂散电感影响的优化方法
Current Sharing Analysis of Three-Phase Interleaved LLC and Optimization Method to Reduce the Influence of Stray Inductance
Jiajia Guan · Jin Wen · Shuangxi Zhu · Zongheng Wu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年3月
三相交错LLC变换器因能提升功率密度和降低输出纹波而被广泛应用。本文指出全Δ型连接的三相交错LLC存在电流均衡性差的问题，建立了电流均衡分析模型，并提出了优化方法以减小杂散电感带来的负面影响。
解读: 该研究直接关联阳光电源的核心产品线，特别是大功率组串式逆变器及储能PCS（如PowerTitan系列）。在高功率密度设计中，三相交错LLC是实现高效DC-DC变换的关键拓扑。文中提出的杂散电感优化方法对于提升大功率模块的电流均衡性、降低器件应力及提高系统可靠性具有重要工程指导意义。建议研发团队在后续...
考虑无米勒平台效应的SiC MOSFET零关断损耗转换的确定与实现
Determination and Implementation of SiC MOSFETs Zero Turn-off Loss Transition Considering No Miller Plateau
Shijie Song · Han Peng · Xinbo Chen · Qing Xin 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月
本文探讨了在零电压开关（ZVS）变换器中实现SiC MOSFET零关断损耗（ZTL）的方法。针对现有研究中对ZTL现象量化模型缺失及开关瞬态假设不准确的问题，本文提出了新的分析模型，旨在突破开关频率限制，进一步提升电力电子变换器的功率密度。
解读: 该技术对于阳光电源的核心产品线具有重大意义。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，SiC MOSFET的应用已成为提升功率密度和效率的关键。通过实现零关断损耗（ZTL），可以显著降低高频开关下的发热，从而缩小散热器体积，提升整机功率密度。建议研发团队在...
混合封装SiC功率模块中寄生电容对传导EMI及开关损耗的综合分析与优化
Comprehensive Analysis and Optimization of Parasitic Capacitance on Conducted EMI and Switching Losses in Hybrid-Packaged SiC Power Modules
Yifan Zhang · Yue Xie · Cai Chen · Xinyue Guo 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月
宽禁带（WBG）器件的高开关速度为功率模块发展带来突破，但寄生参数在高频切换下加剧了功率损耗与电磁干扰（EMI）问题。本文提出了一种具有超低寄生参数的1200V/24A SiC半桥功率模块，旨在优化开关性能并抑制EMI。
解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品线的技术迭代。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用已成必然。通过优化功率模块的寄生电容，不仅能显著降低开关损耗，提升整机效率，还能有效解决高频化带来的EMI合规性难题，降低滤波器设计...
适用于超宽输入电压范围的混合型双有源桥DC-DC变换器
Hybrid-Type Dual Active Bridge DC–DC Converter for Ultrawide Input-Voltage Range
Caifeng Liu · Shuang Liu · Yu Chen · Xudong Zou 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月
本文提出了一种混合型双有源桥（H-DAB）拓扑及其扩展增益（EG）控制方法，旨在解决超宽输入电压范围下的功率变换问题。通过在传统电流型双有源桥（CF-DAB）中增加辅助半桥，H-DAB不仅实现了全范围的零电压开关（ZVS），还显著提升了变换效率与电压调节能力，特别适用于宽电压输入场景。
解读: 该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及电动汽车充电桩业务具有极高的参考价值。在储能PCS中，电池组电压随荷电状态（SOC）变化范围大，该H-DAB拓扑及其EG控制方法能有效提升DC-DC环节在宽电压范围下的转换效率，降低开关损耗，从而提升整机功率密度。建议研发团...
一种低变压器损耗的高效率Δ-Lr-Y型三相交错LLC变换器
A High Efficiency Δ-Lr-Y Type Three-Phase Interleaved LLC Converter With Less Transformer Loss
Jiajia Guan · Zongheng Wu · Teng Liu · Jin Wen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月
Y型三相交错LLC变换器在大功率应用中具有输出电流纹波小的优势，但在低压大功率工况下存在绕组电流过大的问题，影响效率与功率密度。本文提出一种新型Δ型三相交错LLC拓扑，有效降低了变压器损耗，提升了变换器整体性能。
解读: 该拓扑对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及大功率充电桩业务具有重要参考价值。目前阳光电源的储能变流器（PCS）正向高功率密度和高效率演进，该Δ型三相交错LLC方案能有效解决大电流工况下的变压器发热瓶颈，提升系统在低压大电流输出场景下的转换效率。建议研发团队评估该拓扑...
一种基于非接触式PCB罗氏线圈的SiC MOSFET栅极氧化层退化在线监测方法
An Online Gate Oxide Degradation Monitoring Method for SiC MOSFETs With Contactless PCB Rogowski Coil Approach
Jianlong Kang · Ankang Zhu · Yu Chen · Haoze Luo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月
SiC MOSFET栅极氧化层的实时退化监测是提升功率变换器可靠性的关键。现有监测方法多需直接电气连接，降低了系统可靠性。本文提出一种基于开通瞬态电流变化率的非接触式监测方法，通过PCB罗氏线圈实现，有效避免了对主电路的干扰，提升了监测的安全性与准确性。
解读: 随着阳光电源在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率模块，器件的长期可靠性成为核心竞争力。该非接触式监测技术无需改变主电路拓扑，即可实现对SiC器件栅极健康状态的实时评估，极大地降低了系统故障风险。建议研发团队将其集成至iSolarCloud智能运...
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