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混合封装SiC功率模块中寄生电容对传导EMI及开关损耗的综合分析与优化
Comprehensive Analysis and Optimization of Parasitic Capacitance on Conducted EMI and Switching Losses in Hybrid-Packaged SiC Power Modules
| 作者 | Yifan Zhang · Yue Xie · Cai Chen · Xinyue Guo · Yiyang Yan · Lei Yang · Yong Kang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC功率模块 寄生电容 开关损耗 传导EMI 宽禁带器件 电力电子 高速开关 |
语言:
中文摘要
宽禁带（WBG）器件的高开关速度为功率模块发展带来突破，但寄生参数在高频切换下加剧了功率损耗与电磁干扰（EMI）问题。本文提出了一种具有超低寄生参数的1200V/24A SiC半桥功率模块，旨在优化开关性能并抑制EMI。
English Abstract
The high switching speeds of Wide BandGap (WBG) devices promise further breakthroughs in the development of power modules. However, parasitic parameters bring more adverse effects at high-speed switching conditions, which makes WBG bring more power loss and ElectroMagnetic Interference (EMI) problems. In this article, a 1200-V/24-A SiC half-bridge power module is presented with ultralow parasitic ...
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SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源核心产品线的技术迭代。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用已成必然。通过优化功率模块的寄生电容，不仅能显著降低开关损耗，提升整机效率，还能有效解决高频化带来的EMI合规性难题，降低滤波器设计难度与成本。建议研发团队在下一代高压SiC模块选型及封装设计中，重点参考该文提出的寄生参数抑制策略，以提升产品在严苛电网环境下的电磁兼容性能与热管理效率。