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基于改进模型的考虑寄生互感的并联SiC MOSFET动态均流机制分析
Dynamic Current Sharing Mechanism Analysis of Paralleled SiC MOSFETs Considering Parasitic Mutual Inductances Based on an Improved Model
| 作者 | Jianwei Lv · Cai Chen · Baihan Liu · Yiyang Yan · Zexiang Zheng · Yong Kang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 并联 动态均流 寄生互感 开关损耗 改进模型 |
语言:
中文摘要
并联SiC MOSFET间的动态电流不平衡会导致开关损耗差异并限制电流容量。本文旨在研究电路参数，特别是寄生互感不平衡及并联参数共用值对电流分配的影响。通过建立改进的电路模型，揭示了寄生参数对动态均流的具体作用机制，为高功率密度变换器的设计提供了理论支撑。
English Abstract
The dynamic current imbalance between paralleled SiC mosfets can cause unbalanced switching losses and limit the current capacity. It is essential to investigate the influences of the circuit parameters. However, the influences of the unbalanced parasitic mutual inductances and the influences of the common values between the paralleled parameters are unclear. To address these issues, an improved c...
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阳光知情 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的高功率密度产品研发。在PowerTitan储能系统及大功率组串式/集中式光伏逆变器中，SiC MOSFET的并联应用是提升效率和功率密度的关键。研究中关于寄生互感对动态均流的影响分析，对于优化功率模块布局、降低开关损耗以及提升系统长期可靠性具有直接指导意义。建议研发团队在后续的高功率模块设计中，引入该改进模型进行寄生参数提取与仿真，以优化驱动电路设计，确保大电流工况下的均流性能，从而进一步提升产品在极端工况下的稳定性和寿命。