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考虑无米勒平台效应的SiC MOSFET零关断损耗转换的确定与实现
Determination and Implementation of SiC MOSFETs Zero Turn-off Loss Transition Considering No Miller Plateau
| 作者 | Shijie Song · Han Peng · Xinbo Chen · Qing Xin · Yong Kang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 DC-DC变换器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 零关断损耗 (ZTL) 零电压开关 (ZVS) 开关瞬态 功率密度 米勒平台 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文探讨了在零电压开关（ZVS）变换器中实现SiC MOSFET零关断损耗（ZTL）的方法。针对现有研究中对ZTL现象量化模型缺失及开关瞬态假设不准确的问题，本文提出了新的分析模型，旨在突破开关频率限制，进一步提升电力电子变换器的功率密度。
English Abstract
Realizing zero turn-off loss (ZTL) of SiC mosfets in zero voltage switching (ZVS) power converters will further break the limitation of the switching frequency and push for higher power density. However, quantitative models analyzing ZTL phenomenon were not revealed in state-of-arts and the assumptions of switching transients under ZTL were not correct. Current ZTL implementations either have limi...
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SunView 深度解读
该技术对于阳光电源的核心产品线具有重大意义。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，SiC MOSFET的应用已成为提升功率密度和效率的关键。通过实现零关断损耗（ZTL），可以显著降低高频开关下的发热，从而缩小散热器体积，提升整机功率密度。建议研发团队在下一代高频化PCS及光伏逆变器设计中，引入该ZTL量化模型，优化驱动电路设计，以进一步降低损耗并提升系统可靠性，保持在宽禁带半导体应用领域的行业领先地位。