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考虑布局主导互感耦合的多芯片并联SiC MOSFET动态均流模型
A Dynamic Current Sharing Model of Multichip Parallel SiC MOSFETs Considering Layout-Dominated Mutual Inductance Coupling
| 作者 | Zexiang Zheng · Cai Chen · Jianwei Lv · Yiyang Yan · Jiaxin Liu · Yong Kang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 并联连接 动态均流 互感 寄生参数 布局设计 |
语言:
中文摘要
并联SiC MOSFET的动态电流不平衡会导致损耗不均甚至热失控。由布局引起的寄生参数不平衡是主要原因。本文提出了一种定量模型，全面考虑了所有电感及互感耦合，以分析并联SiC MOSFET的动态均流问题。
English Abstract
Dynamic current imbalance of parallel SiC mosfets can lead to uneven losses and even thermal runaway. Unbalanced parasitic parameters dominated by layout are one of the main causes of unbalanced dynamic currents. However, a current sharing model that comprehensively considers all inductances and mutual inductances is still lacking. Aiming at the problem, a quantitative model is proposed to analyze...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的高功率密度产品至关重要。随着PowerTitan系列储能系统及组串式逆变器向更高功率等级演进，SiC MOSFET并联应用日益广泛。该模型能精准指导功率模块的PCB布局与叠层设计，有效抑制动态电流不平衡，从而降低开关损耗、提升热稳定性，并延长核心功率器件的使用寿命。建议研发团队将其应用于大功率PCS模块的电磁兼容与热设计优化中，以提升产品在极端工况下的可靠性。