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拓扑与电路 功率模块 储能变流器PCS 光伏逆变器 ★ 4.0

用于电机驱动应用中直流侧EMI滤波器的新型单级和两级集成磁扼流圈

Novel Single-Stage and Two-Stage Integrated Magnetic Chokes for DC-Side EMI Filter in Motor Drive Applications

Samarjeet Singh · Bellamkonda Dwiza · Kalaiselvi Jayaraman · Prasun Mishra · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月

无源电磁干扰(EMI)滤波器常用于抑制传导共模和差模噪声,但其体积大、占用PCB面积多,限制了变换器的功率密度。本文提出了两种用于单级和两级EMI滤波器的新型集成磁扼流圈,通过磁路等效模型优化设计,有效减小了滤波器体积,提升了功率密度。

解读: 该技术对提升阳光电源全线产品的功率密度具有重要参考价值。在组串式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统以及电动汽车充电桩中,EMI滤波器往往占据较大的空间。通过采用集成磁扼流圈技术,可以在保证电磁兼容性(EMC)合规的前提下,显著减小磁性元件体积,从而优化整机结构布局,降低散热压...

功率器件技术 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

基于银烧结工艺的GaN HEMT三维集成功率模块

A 3-D Integrated Power Module of GaN HEMTs Based on Silver Sintering Processes

Zezheng Dong · Haidong Yan · Yinxiang Fan · Xinke Wu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年3月

本文提出了一种GaN HEMT的三维集成封装方法。通过将柔性PCB集成到GaN芯片上实现重布线层(RDL),扩大了电极面积及间距。该结构将GaN芯片夹在多层PCB与活性金属钎焊(AMB)基板之间,并利用银烧结工艺提升了模块的散热与电气性能。

解读: 该技术对阳光电源的高功率密度产品线具有重要参考价值。随着光伏逆变器和储能变流器(如PowerTitan系列)向更高功率密度演进,GaN等宽禁带半导体的应用是提升效率的关键。该三维封装方案通过银烧结和RDL技术有效解决了GaN器件在高频下的寄生参数和散热瓶颈,有助于减小逆变器体积并提升系统效率。建议研...

拓扑与电路 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

用于650V氮化镓半桥的超低输入输出电容PCB嵌入式双输出栅极驱动电源

Ultralow Input–Output Capacitance PCB-Embedded Dual-Output Gate-Drive Power Supply for 650 V GaN-Based Half-Bridges

Bingyao Sun · Rolando Burgos · Dushan Boroyevich · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年2月

宽禁带器件通过高频运行提升了功率转换器的效率与功率密度,但同时也加剧了电磁干扰(EMI)。栅极驱动电源的寄生隔离电容是EMI耦合的关键路径。本文提出了一种PCB嵌入式双输出栅极驱动电源,通过降低寄生电容,有效抑制了EMI辐射与传导,为高频GaN功率变换器的设计提供了优化方案。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及户用储能产品中对功率密度要求的不断提升,GaN等宽禁带半导体器件的应用成为技术演进的关键。该研究针对GaN高频开关带来的EMI挑战,提出了极具价值的栅极驱动电源优化方案。对于阳光电源而言,该技术可直接应用于新一代高频高效逆变器及微型逆变器的开发中,有助于在缩小产品体积的同...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

基于PCB罗氏线圈的SiC MOSFET模块有源驱动器,用于优化过冲与开关损耗之间的权衡

An Active Gate Driver of SiC MOSFET Module Based on PCB Rogowski Coil for Optimizing Tradeoff Between Overshoot and Switching Loss

Pengfei Xiang · Ruixiang Hao · Jingxian Cai · Xiaojie You · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月

SiC MOSFET凭借优异特性提升了电力电子系统的效率与功率密度,但其高开关速度带来的电压过冲、振荡及电磁干扰(EMI)问题亟待解决。本文提出了一种基于PCB罗氏线圈的新型有源驱动技术,旨在平衡开关损耗与电压过冲,从而优化SiC功率模块的整体性能。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器(PCS)具有极高应用价值。随着公司产品向更高功率密度和更高开关频率演进,SiC器件的应用已成趋势。该有源驱动方案能有效抑制SiC高频开关产生的电压尖峰,在不牺牲效率的前提下提升系统可靠性,并降低EMI滤波器的设计难度。建议研发团队在...

可靠性与测试 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

用于双脉冲测试的带直流传感功能的PCB罗氏线圈

PCB Rogowski Coil With DC Sensing for Double Pulse Test Applications

Sadia Binte Sohid · Xingyue Tian · Niu Jia · Han Cui 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年4月

准确测量宽禁带器件的开关电流需要具备从直流到高频宽带宽的电流传感器。传统罗氏线圈缺乏直流测量能力,而引入直流传感器会显著增加插入电感。本文提出了一种结合屏蔽罗氏线圈与直流传感的新型电流传感器方案,旨在解决双脉冲测试中高频电流测量与直流分量监测的矛盾。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中大规模应用SiC等宽禁带半导体,对功率模块的开关特性评估提出了更高要求。该技术方案通过优化PCB罗氏线圈实现直流与高频电流的同步测量,能有效降低双脉冲测试中的插入电感,提高测试精度。建议研发部门在功率模块测试平台中引入该技术,以更精准地分析S...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

用于碳化硅MOSFET的基板嵌入式电力电子封装

Substrate Embedded Power Electronics Packaging for Silicon Carbide mosfets

Ameer Janabi · Luke Shillaber · Wucheng Ying · Wei Mu 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月

本文提出了一种用于分立芯片的新型电力电子封装方案——标准单元。该方案由阶梯蚀刻活性金属钎焊(AMB)基板和柔性印刷电路板(flex-PCB)组成。该标准单元具有高导热性、完全电气绝缘和低杂散电感等优势,有效提升了SiC MOSFET器件的整体性能。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有显著的赋能作用。SiC MOSFET是提升组串式光伏逆变器功率密度和效率的关键,而封装技术直接决定了器件在高频开关下的散热能力与杂散电感表现。采用AMB基板和柔性PCB的嵌入式封装方案,可显著降低寄生参数,减少开关损耗,这对阳光电源的PowerTitan储能系统及新一...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 储能变流器PCS ★ 4.0

基于神经网络模型的实心与利兹线PCB绕组非隔离临界软开关变换器电感设计

Inductor Design for Nonisolated Critical Soft Switching Converters Using Solid and Litz PCB and Wire Windings Leveraging Neural Network Model

Liwei Zhou · Matthias Preindl · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年3月

本文提出了一种针对高频(300 kHz–1 MHz)、高效率(≥99.7%)临界软开关变换器的电感设计方法,适用于大电流纹波(ΔiL ≥ 200%)场景。通过结合神经网络模型,优化了磁芯/线圈尺寸、匝数、气隙及电感量,旨在提升电力电子转换系统的功率密度与效率。

解读: 该研究聚焦于高频、高效率电感设计及神经网络建模,对阳光电源的组串式逆变器和储能PCS(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。随着功率密度要求的不断提升,高频化是必然趋势,该方法可有效优化磁性元件设计,降低损耗并减小体积。建议研发团队将其应用于高频DC-DC变换级,利用神经网络模型加速磁性元件...

拓扑与电路 充电桩 可靠性分析 功率模块 ★ 4.0

汽车非隔离式功率变换器输入输出电缆电压引起的辐射EMI建模、分析与抑制

Modeling, Analysis, and Reduction of Radiated EMI Due to the Voltage Across Input and Output Cables in an Automotive Non-Isolated Power Converter

Juntao Yao · Shuo Wang · Zheng Luo · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

本文研究了非隔离式功率变换器中输入与输出电缆间电压引起的辐射电磁干扰(EMI)。文章基于电路拓扑、PCB寄生参数、开关波形及传递函数,建立并量化了辐射EMI模型,并进一步开发了天线模型以分析电缆辐射特性。

解读: 该研究对阳光电源的电动汽车充电桩及车载电源业务具有重要参考价值。随着充电桩功率密度提升,高频开关带来的辐射EMI问题日益突出。本文提出的EMI建模与量化方法,可指导研发团队在PCB布局设计阶段优化寄生参数,降低电缆辐射干扰,从而缩短EMC认证周期。此外,该分析方法可推广至组串式逆变器及储能PCS的功...

功率器件技术 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

基于DBC的PCB封装GaN功率模块高密度集成与双面冷却设计

PCB-on-DBC GaN Power Module Design With High-Density Integration and Double-Sided Cooling

Xingyue Tian · Niu Jia · Douglas DeVoto · Paul Paret 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月

本文探讨了一种采用双面冷却、低电感及板载去耦电容设计的高密度GaN功率模块。针对横向氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管的高开关速度与低栅极电荷特性,分析了其在模块设计中面临的挑战,并提出了优化方案以提升功率密度与散热性能。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。随着功率密度要求的提升,GaN器件在小功率、高频化场景下的应用是实现产品轻量化和高效化的关键。双面冷却与低电感封装技术可有效解决高频开关带来的热管理与EMI难题,建议研发团队关注该模块化设计在下一代高频组串式逆变器及紧凑型充电桩中...

可靠性与测试 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种基于开通栅极电流变化率的SiC MOSFET栅极氧化层退化在线监测方法

An Online Gate Oxide Degradation Monitoring Method for SiC MOSFETs Based on Turn-ON Gate Current Change Rate

Hui Meng · Junwei Liu · Yi Zhang · Chi Yung Chung · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

栅极氧化层退化(GOD)是SiC MOSFET在高压高温环境下运行的主要可靠性挑战。本文提出了一种基于开通栅极电流变化率峰值(dig/dt,max)的在线状态监测方法,利用非侵入式PCB罗氏线圈实现对器件健康状态的实时评估。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中大规模应用SiC功率模块,提升功率器件的寿命预测能力至关重要。该监测方法无需改变现有电路拓扑,通过非侵入式手段实现栅极氧化层退化的在线诊断,可直接集成于iSolarCloud智能运维平台,实现对核心功率器件的预防性维护。建议研发团...

电动汽车驱动 GaN器件 DC-DC变换器 功率模块 ★ 4.0

面向电动汽车的700 kHz氮化镓辅助电源模块功率密度优化

Power Density Optimization of 700 kHz GaN-Based Auxiliary Power Module for Electric Vehicles

Adhistira M. Naradhipa · Sangjin Kim · Daeki Yang · Sewan Choi 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月

本文提出了一种基于氮化镓(GaN)器件的1.8 kW电动汽车辅助电源模块(APM)。文章详细介绍了采用PCB平面磁性元件的高频移相全桥电流倍流整流器设计流程,并对高频PWM变换器的漏感进行了深入分析,旨在实现高功率密度。

解读: 该技术对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。随着充电桩向高功率密度和小型化演进,基于GaN的高频变换技术是提升辅助电源效率与减小体积的关键。文中提到的PCB平面磁性元件设计及漏感优化方法,可直接应用于阳光电源充电桩内部辅助电源的迭代升级,有助于降低整机重量与成本,提升产品竞争力。同时,该高...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 ★ 4.0

一种基于寄生电感的谐振开关电容变换器集成方法

An Integration Method of Resonant Switched-Capacitor Converters Based on Parasitic Inductance

Longyang Yu · Laili Wang · Bin Wu · Chengzi Yang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年12月

本文提出了一种新型集成方法,旨在增加PCB铜箔走线的寄生电感值,以解决其在低中频条件下无法满足谐振变换器零电流开关(ZCS)需求的问题,从而提升变换器的功率密度。

解读: 该技术通过优化PCB布局与寄生参数利用,直接提升功率密度,对阳光电源的组串式逆变器及户用储能系统(如PowerStack)中的DC-DC变换模块具有重要参考价值。在追求极致功率密度和小型化的产品设计中,利用寄生电感替代分立电感可有效降低物料成本并缩小体积。建议研发团队在下一代高功率密度变换器设计中,...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

基于PCB型罗氏线圈电流传感器的SiC MOSFET短路保护:设计指南、实用方案与性能验证

Short-Circuit Protection for SiC MOSFET Based on PCB-Type Rogowski Current Sensor: Design Guidelines, Practical Solutions, and Performance Validation

Ju-A Lee · Dong Hyeon Sim · Byoung Kuk Lee · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年3月

本文提出了一种用于SiC MOSFET功率转换系统的鲁棒短路保护电路,该电路基于PCB型罗氏线圈(RCS)电流传感器。文章详细阐述了RCS的理论设计准则,旨在降低传感误差并提升检测性能,并通过双脉冲测试进行了验证。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率,短路保护的可靠性成为核心挑战。传统的去饱和检测法在高速开关下易受干扰,本文提出的PCB型罗氏线圈方案具有高带宽、抗电磁干扰强等优势,能有效提升SiC功率模块在极端工况下...

功率器件技术 SiC器件 可靠性分析 故障诊断 ★ 5.0

一种基于非接触式PCB罗氏线圈的SiC MOSFET栅极氧化层退化在线监测方法

An Online Gate Oxide Degradation Monitoring Method for SiC MOSFETs With Contactless PCB Rogowski Coil Approach

Jianlong Kang · Ankang Zhu · Yu Chen · Haoze Luo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月

SiC MOSFET栅极氧化层的实时退化监测是提升功率变换器可靠性的关键。现有监测方法多需直接电气连接,降低了系统可靠性。本文提出一种基于开通瞬态电流变化率的非接触式监测方法,通过PCB罗氏线圈实现,有效避免了对主电路的干扰,提升了监测的安全性与准确性。

解读: 随着阳光电源在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率模块,器件的长期可靠性成为核心竞争力。该非接触式监测技术无需改变主电路拓扑,即可实现对SiC器件栅极健康状态的实时评估,极大地降低了系统故障风险。建议研发团队将其集成至iSolarCloud智能运...

可靠性与测试 可靠性分析 热仿真 有限元仿真 ★ 5.0

一种获取PCB电路稳态温度场的3D有限差分法

A 3-D Finite Difference Method for Obtaining the Steady-State Temperature Field of a PCB Circuit

Guochun Wan · Kaifeng Zhang · Kang Fu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年2月

板载驱动模块工作产生的热量会导致产品故障率上升。本文针对驱动模块的热分析,提出了一种3D有限差分法,旨在解决传统商业软件(如ANSYS ICEPAK或FLOTHEM)在处理复杂PCB热仿真时计算资源消耗大、建模复杂的问题,通过考虑LED及周边功率元器件的耦合影响,实现更高效的稳态温度场预测。

解读: 热设计是阳光电源光伏逆变器(如组串式、集中式)及储能系统(如PowerTitan、PowerStack)核心可靠性指标的关键。该文提出的3D有限差分法相比传统有限元法(FEM)具有更高的计算效率,非常适合在产品研发早期阶段对高功率密度PCB进行快速热迭代。在阳光电源的研发流程中,该方法可用于优化逆变...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种用于高温高功率密度应用的高性能SiC功率模块三维封装结构

A High-Performance 3-D Packaging Structure of SiC Power Module for High-Temperature and High-Power-Density Applications

Baihan Liu · Yipeng Liu · Yiyang Yan · Jianwei Lv 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月

本研究旨在将垂直芯片堆叠(VCS)封装结构应用于高温环境,以突破现有高温封装在寄生电感和热阻方面的性能瓶颈。针对传统PCB型VCS封装在结温控制方面的局限性,本文提出了一种优化方案,旨在提升SiC功率模块在极端工况下的热管理能力与电气性能。

解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着光伏逆变器和储能PCS(如PowerTitan系列)向更高功率密度和更高效率演进,SiC器件的应用已成为主流。该三维封装技术能显著降低寄生电感,有助于提升高频开关下的效率并减小磁性元件体积,直接利好组串式逆变器和储能变流器的轻量化设计。同时,其优化的热管理...

可靠性与测试 可靠性分析 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

一种用于纳秒脉冲宽度和大功率LIV测试的嵌入式电流传感方法

An Embedded Current Sensing Method for Nanosecond-Pulsewidth and High-Power LIV Testing

Yinong Zeng · Zhihao Liu · Xiaonan Tao · Jian Qiu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月

本文提出了一种嵌入式电流传感(ECS)方法,旨在解决纳秒级脉宽和大峰值功率条件下光-电流-电压(LIV)测试的挑战。传统LIV测试受限于高di/dt下的电流测量精度,该方法利用PCB内层走线耦合技术,有效提升了高频瞬态电流的测量准确性。

解读: 该技术对阳光电源的功率器件测试与可靠性评估具有重要参考价值。随着公司在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中大规模应用SiC等宽禁带半导体,高频开关下的瞬态电流测试精度直接影响器件失效分析与驱动电路优化。该嵌入式传感方法可集成于功率模块驱动板或测试平台中,提升对高di/dt工况下功率器件动态特...

拓扑与电路 SiC器件 功率模块 组串式逆变器 ★ 5.0

一种用于SiC MOSFET电流检测的高带宽紧凑型直流母线嵌入式平面罗氏线圈设计

Design of a High-Bandwidth Compact DC-Bus Embedded Planar Rogowski Coil for SiC MOSFET Current Sensing

Matthias Spieler · Che-Wei Chang · Ayman M. El-Refaie · Dong Dong 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

本文定量研究了平面罗氏线圈的设计准则。通过将罗氏线圈集成在PCB内部,置于直流母线、直流支撑电容与半桥电路之间,仅需单个线圈即可实现直流母线电流的测量,从而有效捕捉SiC MOSFET的开关瞬态电流。

解读: 随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan等储能系统全面转向SiC功率器件以提升功率密度和效率,高频开关带来的电流采样难题日益突出。该技术通过PCB嵌入式平面罗氏线圈,实现了高带宽、紧凑型的电流检测,能够精准捕捉SiC器件的开关瞬态,对于优化逆变器及PCS的驱动保护电路、降低EMI干扰、提升系统...

拓扑与电路 多电平 功率模块 并网逆变器 ★ 3.0

一种基于PCB的无变压器中压多电平功率变换器及其直流电容平衡电路

A Transformerless PCB-Based Medium-Voltage Multilevel Power Converter With a DC Capacitor Balancing Circuit

Luke Anthony Solomon · Alfred Permuy · Nicholas D. Benavides · Daniel F. Opila 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年4月

本文提出了一种利用现有分立功率半导体器件和PCB技术构建无变压器电压源型中压多电平变换器的新方法。该方法特别适用于4.16 kV、500-1000 kW范围内的中压变换器和电机驱动系统,并提供了一种可视化功率级拓扑的新途径。

解读: 该研究提出的PCB集成化中压多电平拓扑,对阳光电源的集中式逆变器及大型储能PCS(如PowerTitan系列)具有参考价值。通过PCB技术实现功率级集成,有助于提升功率密度并降低寄生参数,从而优化中压系统的散热与电磁兼容性。建议研发团队关注该拓扑在模块化并联中的电容电压平衡控制策略,这对于提升大功率...

拓扑与电路 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件 ★ 4.0

具有低跌落失真的PCB罗氏线圈电流传感器设计

Design of PCB Rogowski Coil Current Sensor With Low Droop Distortion

Qianming Xu · Yuan Feng · Peng Guo · Nan Mo 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月

宽禁带半导体(SiC和GaN)的应用提升了电力电子设备的功率密度,但也对电流传感器的带宽提出了更高要求。罗氏线圈因其差分输出特性适用于高频电流测量,但现有设计难以兼顾带宽与低频跌落失真。本文提出了一种新型PCB罗氏线圈设计,有效解决了高频测量下的精度与稳定性问题。

解读: 随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能系统向高功率密度和高开关频率演进,SiC器件的应用日益普及,这对电流采样电路的带宽和抗干扰能力提出了严苛挑战。该研究提出的低跌落失真PCB罗氏线圈技术,可优化逆变器及PCS内部的电流采样精度,特别是在高频开关瞬态下的电流检测,有助于提升控制环路的响应...

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