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基于PCB罗氏线圈的SiC MOSFET模块有源驱动器，用于优化过冲与开关损耗之间的权衡
An Active Gate Driver of SiC MOSFET Module Based on PCB Rogowski Coil for Optimizing Tradeoff Between Overshoot and Switching Loss
| 作者 | Pengfei Xiang · Ruixiang Hao · Jingxian Cai · Xiaojie You |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 有源门极驱动器 PCB罗氏线圈 开关损耗 电压过冲 EMI 功率密度 |
语言:
中文摘要
SiC MOSFET凭借优异特性提升了电力电子系统的效率与功率密度，但其高开关速度带来的电压过冲、振荡及电磁干扰（EMI）问题亟待解决。本文提出了一种基于PCB罗氏线圈的新型有源驱动技术，旨在平衡开关损耗与电压过冲，从而优化SiC功率模块的整体性能。
English Abstract
The superior characteristics of the silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (SiC mosfet) allow its wide use for improving the efficiency and power density of power electronic systems. However, the higher switching speed exacerbates the problems of overshoot, oscillation, and electromagnetic interference (EMI), which need to be properly addressed. In this article, a novel ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器（PCS）具有极高应用价值。随着公司产品向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用已成趋势。该有源驱动方案能有效抑制SiC高频开关产生的电压尖峰，在不牺牲效率的前提下提升系统可靠性，并降低EMI滤波器的设计难度。建议研发团队在下一代高压储能PCS及高功率密度组串式逆变器中引入该驱动技术，以进一步优化整机效率并缩小体积。