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基于银烧结工艺的GaN HEMT三维集成功率模块
A 3-D Integrated Power Module of GaN HEMTs Based on Silver Sintering Processes
| 作者 | Zezheng Dong · Haidong Yan · Yinxiang Fan · Xinke Wu · Junming Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMT 3D集成封装 银烧结 功率模块 RDL 热管理 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种GaN HEMT的三维集成封装方法。通过将柔性PCB集成到GaN芯片上实现重布线层（RDL），扩大了电极面积及间距。该结构将GaN芯片夹在多层PCB与活性金属钎焊（AMB）基板之间，并利用银烧结工艺提升了模块的散热与电气性能。
English Abstract
A 3-D integrated packaging method is proposed in this letter. Redistributed layers (RDLs) are realized by integrating flexible printed circuit boards (PCBs) onto gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT) dies to enlarge the electrode area and the clearance between them. GaN HEMTs with RDLs are sandwiched between a multilayer PCB and an active metal brazing (AMB) board. Additio...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的高功率密度产品线具有重要参考价值。随着光伏逆变器和储能变流器（如PowerTitan系列）向更高功率密度演进，GaN等宽禁带半导体的应用是提升效率的关键。该三维封装方案通过银烧结和RDL技术有效解决了GaN器件在高频下的寄生参数和散热瓶颈，有助于减小逆变器体积并提升系统效率。建议研发团队关注该封装工艺在组串式逆变器及高频DC-DC变换器中的应用潜力，以进一步优化产品散热设计与功率密度。