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一种具有低寄生参数的紧凑型双面散热650V/30A GaN功率模块
A Compact Double-Sided Cooling 650V/30A GaN Power Module With Low Parasitic Parameters
| 作者 | Bingyang Li · Xu Yang · Kangping Wang · Hongkeng Zhu · Laili Wang · Wenjie Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMT 功率模块 双面冷却 寄生参数 宽禁带 集成方案 高频功率变换 |
语言:
中文摘要
针对GaN HEMT在高压集成中的特殊需求，本文提出了一种无键合线的创新集成方案。基于该方案，设计并实现了一种紧凑型双面散热650V/30A GaN功率模块，有效降低了寄生参数，提升了高频功率变换的性能。
English Abstract
Compared with silicon and silicon carbide devices, the unique electrical and structural characteristics of gallium nitride high electron mobility transistors (GaN HEMTs) make them have different requirements for power module integration. This article proposes a novel integration scheme for the high-voltage lateral GaN HEMT dies without bonding wires. Based on the proposed integration scheme, a com...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型化储能系统（如PowerStack）具有重要参考价值。GaN器件凭借高开关频率和低损耗特性，是实现逆变器高功率密度化的关键。该模块采用的无键合线双面散热技术，能显著改善散热路径并降低寄生电感，有助于解决高频化带来的EMI和电压尖峰问题。建议研发团队关注该集成方案在下一代高效率、轻量化户用逆变器中的应用，以进一步提升产品在空间受限场景下的竞争力。